增強型氮化鎵 (GaN) 晶體管已商用五年多。市售的 GaN FET 設計為比最先進的硅基功率 MOSFET 具有更高的性能和更低的成本。這一成就標志著 60 年來第一次在性能和成本方面任何技術都可以與硅相媲美,并標志著古老但老化的功率 MOSFET 的最終取代。
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