L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用,采用隔離降壓拓撲結構,需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉換器少,并且不需要光耦合器,從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。
氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術,提供超越硅的多種優(yōu)勢,被稱為第三代半導體材料,用于電源系統(tǒng)的設計如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器
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