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IGBT 基礎教程：第 1 部分如何選擇 IGBT
IGBT全稱叫絕緣柵雙極型晶體管，是一種復合型結(jié)構(gòu)器件，它結(jié)合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點，在電壓電流轉(zhuǎn)換，電能輸出領域用的非常多，特別是在高壓大電流領域，IGBT占主導地位，是人類控制電能，利用電能的核心半導體器件之一，這種主要應用在電子電力轉(zhuǎn)換領域的半導體器件，我們統(tǒng)稱功率半導體
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IGBT 基礎教程：第 2 部分IGBT概述
N 溝道 IGBT 基本上是構(gòu)建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET，的通用 IGBT 橫截面所示。（PT IGBT 有一個額外的 n+ 層，將在后面說明。）因此，IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似。從發(fā)射極施加到柵極端子的正電壓導致電子被拉向體區(qū)中的柵極端子。
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IGBT 基礎教程：第 3 部分PT與NPT芯片介紹
所謂PT(PunchThrough，穿通型)，是指電場穿透了N-漂移區(qū)，電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985)，但技術上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早，所以第1代IGBT產(chǎn)品以PT型為主。PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題，但是需要增加外延層厚度，技術復雜，成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關的，電壓規(guī)格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延層厚度分別達到了100μm和200μm。
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IGBT 基礎教程：第 4 部分數(shù)據(jù)表中有關 IGBT的特性一
從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設計人員有用且方便的相關信息，用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是，測試結(jié)果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅(qū)動電路設計和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結(jié)果。
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IGBT 基礎教程：第 5 部分數(shù)據(jù)表中有關 IGBT的特性二
從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設計人員有用且方便的相關信息，用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是，測試結(jié)果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅(qū)動電路設計和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結(jié)果。
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IGBT 基礎教程：第 6 部分IGBT靜態(tài)特性
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓 的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止 下的IGBT ，正向電壓由J2結(jié)承擔，反向電壓由J1結(jié)承擔。 無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓 做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平， 限制了IGBT的某些應用范圍。
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IGBT 基礎教程：第 7 部分IGBT動態(tài)特性
一個等效的 IBGT 模型，其中包括端子之間的電容。輸入、輸出和反向傳輸電容是這些電容的組合。數(shù)據(jù)表中規(guī)定了測量電容的測試條件。
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IGBT 基礎教程：第 8 部分IGBT熱和機械特性
這是從芯片結(jié)到器件外殼外部的熱阻。熱量是設備本身功率損失的結(jié)果，熱阻與基于這種功率損失的芯片的熱度有關。之所以稱為熱阻，是因為使用電氣模型根據(jù)穩(wěn)態(tài)功率損耗預測溫升。
