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意法半導體推出新款MasterGaN4器件，實現(xiàn)高達200瓦的高能效功率變換
意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換應(yīng)用的設(shè)計。
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