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臺積電 3nm 工藝良率 63%，正在追趕自家 4nm 良率
據(jù) 21ic 信息報道，臺積電的第一代 3nm 工藝(N3)仍采用鰭式場效應晶體管架構制程工藝，在去年最后的幾天在南科廠正式投入開始商業(yè)量產，隨后產能在不斷提升。有報道稱已經(jīng)量產了一個季度的臺積電 3nm(N3)制程工藝目前的良率約為 63%，正在追趕自家 4nm 良率。
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FinFET晶體管尺寸的量化一直是主要挑戰(zhàn)，并迫使高密度6T
存算一體化是指將傳統(tǒng)以計算為中心的架構轉變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構，它可以突破馮·諾伊曼架構下存算分離的瓶頸，直接利用存儲器進行數(shù)據(jù)處理，從而把數(shù)據(jù)存儲與計算融合在同一芯片中，極大提高計算并行度與能效比。
