在數(shù)據(jù)中心高并發(fā)存儲(chǔ)場(chǎng)景中,NVMe SSD的I/O延遲優(yōu)化是性能突破的關(guān)鍵。本文通過(guò)Rust語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)PCIe設(shè)備驅(qū)動(dòng)的DMA環(huán)形緩沖區(qū)與MSI-X中斷深度優(yōu)化,在實(shí)測(cè)中使NVMe SSD的P99延遲降低40%,吞吐量提升2.3倍。
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