隨著物理極限的迫近,僅僅通過芯片內(nèi)部創(chuàng)新設(shè)計來實現(xiàn)芯片極限的提高,已經(jīng)愈發(fā)困難。功率IC的高功率密度追求,可以通過頂部散熱的封裝方式來提高,這已經(jīng)是被印證的行之有效的方法。
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