SiC碳化硅功率器件SBD特性

碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導體材料，堪稱半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。 歷史上人類第一次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年，美國人艾奇遜在電溶金剛石的時候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物，這就是碳化硅首次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后，特別是進入21世紀以后，人類終于理清了碳化硅的優(yōu)點和特性，并利用碳化硅特性，做出各種新器件，碳化硅行業(yè)得到較快發(fā)展。