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高成本效益的實用系統(tǒng)方法解決QFN-mr BiCMOS器件單元測試電源電流失效問題
本文探討一套解決芯片單元級電測試過程電源電流失效問題的方法。當(dāng)采用QFN-MR(四邊扁平無引線–多排引腳封裝)的BiCMOS (雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體)芯片進(jìn)入量產(chǎn)預(yù)備期時，電源電流失效是一個進(jìn)退維谷的制造難題。
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