它們的反向摻雜分布是主要區(qū)別:p 通道 MOSFET 依靠空穴作為多數(shù)電荷載流子,產(chǎn)生空穴電流,而 n 通道器件利用電子,產(chǎn)生電子電流。由于電子的遷移率較高,約為空穴的兩到三倍,因此在 p 通道器件中移動空穴比在 n 通道器件中移動電子更具挑戰(zhàn)性。
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