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p-GaN

關(guān)注1人關(guān)注

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通過自動動態(tài)開關(guān)測試研究 p-GaN HEMT 上的電應(yīng)力

氮化鎵(GaN)基功率半導(dǎo)體在功率轉(zhuǎn)換方面具有許多優(yōu)勢。它們在許多應(yīng)用中的使用不斷增加，例如移動設(shè)備的電源適配器和數(shù)據(jù)中心的電源。橫向高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是應(yīng)用最廣泛的 GaN 器件。該器件的退化機制已被廣泛研究并被納入可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)。

電源
2024-12-22

p-GaN HEMT

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