碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應(yīng)用的開(kāi)關(guān)性能,能夠在增強(qiáng)熱性能的同時(shí)提供較高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)及開(kāi)關(guān)頻率。不過(guò),SiC要求在更緊湊的設(shè)計(jì)中能夠獲得更快速的短路保護(hù),這對(duì)門極驅(qū)動(dòng)器提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構(gòu)中支持各種不同的門極電壓。
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