OFweek電子工程網訊 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研發(fā)出的新型內存單元,能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜
半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產權(IP)產品領先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術,進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在201