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LED控制器就是通過(guò)芯片處理控制LED燈電路中的各個(gè)位置的開(kāi)關(guān)問(wèn)題。隨著LED光源的不斷普及，越來(lái)越多的客戶(hù)使用到LED控制器，在控制器選購(gòu)上很多客戶(hù)無(wú)從入手，現(xiàn)在我們就目前市場(chǎng)上主流的LED控制器。

Metal Bonding (金屬粘著）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專(zhuān)利產(chǎn)品

采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易. Thermal ConductivityGaAs:46 W/m-KGaP: 77 W/m-KSi: 125 ～ 150 W/m-KCupper:300~400 W/m-kSiC: 490 W/m-K 2、通過(guò)金屬層來(lái)接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收. 3、導(dǎo)電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4 倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。 4、底部金屬反射層﹐有利于光度的提升及散熱 5、尺寸可加大﹐應(yīng)用于High power 領(lǐng)域﹐eg : 42mil MB

Glue Bonding (粘著結(jié)合）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專(zhuān)利產(chǎn)品

定義﹕ GB 芯片﹕Glue Bonding (粘著結(jié)合）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專(zhuān)利產(chǎn)品特點(diǎn)﹕ 1﹕透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs 襯底﹐其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍(lán)寶石襯底類(lèi)似TS芯片的GaP襯底. 2﹕芯片四面發(fā)光﹐具有出色的Pattern圖 3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過(guò)TS芯片的水平(8.6mil) 4﹕雙電極結(jié)構(gòu)﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片


transparent structure(透明襯底)芯片﹐該芯片屬于HP 的專(zhuān)利產(chǎn)品。	1.芯片工藝制作復(fù)雜﹐遠(yuǎn)高于AS LED 2. 信賴(lài)性卓越 3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高 4.應(yīng)用廣泛

AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收襯底）芯片﹔經(jīng)過(guò)近四十年的發(fā)展努力﹐臺(tái)灣LED光電業(yè)界對(duì)于該類(lèi)型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷(xiāo)售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業(yè)起步較晚﹐其亮度及可靠度與臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮
2. 信賴(lài)性?xún)?yōu)良
3. 應(yīng)用廣泛

近幾年人們制造LED芯片過(guò)程中首先在襯底上制作氮化鎵（GaN）基的外延片(外延片)，外延片所需的材料源(碳化硅SiC)和各種高純的氣體如氫氣H2或氬氣Ar等惰性氣體作為載體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。接下來(lái)是對(duì)LED-PN結(jié)的兩個(gè)電極進(jìn)行加工，并對(duì)LED毛片進(jìn)行減薄，劃片。然后對(duì)毛片進(jìn)行測(cè)試和分選，就可以得到所需的LED芯片。

什么是本年度最火的半導(dǎo)體產(chǎn)品？各大廠商今年大力推介的又是什么？不錯(cuò)，就是LED，就連綜藝天王吳宗憲也要摻和進(jìn)來(lái)分一杯羹呢。今天介紹的是LED芯片的基本情況。