2026年第一季度存儲器價格全面上漲!多品類增幅創(chuàng)歷史新高
2月3日消息,TrendForce集邦咨詢發(fā)布最新存儲器產(chǎn)業(yè)研報顯示,受AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)激增推動,全球存儲器市場供需失衡加劇,2026年第一季度(Q1)DRAM、NAND Flash各類產(chǎn)品價格全面大幅上漲,多個細分品類季增幅度創(chuàng)下歷史新高,且不排除后續(xù)進一步上修的可能。
研報指出,此次價格上漲的核心驅動力來自需求端的爆發(fā)式增長。
隨著AI推理應用場景持續(xù)擴大,北美、中國各大云端服務業(yè)者(CSP)、服務器廠商(Server OEM)對高性能存儲器的備貨需求強烈,而PC整機2025年第四季度出貨量超預期,進一步加劇了PC DRAM的缺貨態(tài)勢,頭部PC OEM廠商庫存水平持續(xù)下滑。
供給端方面,存儲器原廠更看好DRAM市場的獲利前景,將部分產(chǎn)線轉向DRAM生產(chǎn),導致NAND Flash新增產(chǎn)能被壓縮,僅能通過制程升級勉強提升單位產(chǎn)出,短期產(chǎn)能瓶頸難以緩解,原廠議價能力顯著增強,市場呈現(xiàn)明顯的賣方市場特征。
具體價格漲幅方面,DRAM類產(chǎn)品成為上漲主力。
整體Conventional DRAM合約價季增幅度從1月初預估的55%-60%上調至90%-95%;
PC DRAM(DDR4&DDR5混合)價格預計季增105%-110%,漲幅超一倍,創(chuàng)下歷史新高;
Server DRAM價格季增88%-93%,Mobile DRAM中LPDDR4X、LPDDR5X合約價季增均達88%-93%,均為歷年最高水平;
高帶寬存儲器(HBM)混合合約價也實現(xiàn)80%-85%的季度增長。
NAND Flash類產(chǎn)品同樣漲幅顯著,整體合約價季增幅度從33%-38%上調至55%-60%。





