以下內(nèi)容中，小編將對ADI智能功率級產(chǎn)品LTC7050的相關內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對LTC7050的了解，和小編一起來看看吧。

LTC7050雙通道單片式功率級在電氣和熱優(yōu)化封裝中完全集成了高速驅(qū)動器和低電阻半橋電源開關，以及全面的監(jiān)控和保護電路。借助合適的高頻控制器，該功率級可形成具有先進的效率和瞬態(tài)響應的緊湊型大電流電壓穩(wěn)壓器系統(tǒng)。

SilentMOS技術采用第二代Silent Switcher 2架構(gòu)，可降低EMI和開關節(jié)點電壓過沖，同時較大限度地提高在高開關頻率下的效率。

它可以通過高速電流檢測可提供低延遲開關電流信息，從而實現(xiàn)嚴格的電流平衡和即時過流保護。熱增強型封裝提供雙路40A額定連續(xù)輸出電流能力。

LTC7050 是一款雙通道或雙相集成驅(qū)動器半橋功率 MOSFET 級，適用于 DC/DC 降壓應用。 它設計用于同步開關架構(gòu)，具有提供 PWM 三態(tài)控制輸出的邏輯電平控制器。

在正常操作中，PWMHI 打開高端 FET，PWMLO 打開低端 FET。 SW 節(jié)點跟隨 PWM 引腳，具有典型的 10ns 延遲。 SW 從 PGND 上升到 VIN 之前有 <1ns 的死區(qū)時間，SW 下降后有典型的 3ns 死區(qū)時間。

高端 FET 驅(qū)動器通過內(nèi)部集成開關和電容器從內(nèi)部 BST 節(jié)點向 SW 供電，這樣可以實現(xiàn)比典型二極管更低的壓降以及更高的工作頻率。

在電流檢測方面，實時電流檢測放大器提供按比例縮小的 SW 電流。在 PWMHI 或 PWMLO 期間，ISNS 引腳根據(jù) SW 電流方向提供或吸收等于瞬時 SW 電流 1/100,000 的電流。 相關的電流比較器標記高側(cè) FET 正過流 (OC) 和低側(cè) FET 負過流 (OCN) 條件。 兩個 FET 的零電流也由相關的電流比較器檢測。

在溫度監(jiān)控器和過熱故障處理方面，通常，TMON 輸出 0.6V 至 1.8V 的電壓，對應于 0°C 至 150°C 的芯片溫度范圍。 TMON 由可以提供電流但吸收能力有限的放大器驅(qū)動。這允許多個 TMON 引腳并聯(lián)，并報告最高溫度。 過熱在 150°C(典型值)時觸發(fā)，并導致 TMON 引腳被拉高至 VCC。 一旦內(nèi)部溫度低于閾值 20°C(典型值)，過熱故障將被清除。 TDIO 引腳內(nèi)部連接到 P/N 結(jié)二極管的陽極，而陰極連接到 SGND。 它為諸如 LTC3884-1 之類的控制器提供了另一種管芯溫度測量，以使用直接 VBE 方法或 ΔVBE 方法測量管芯溫度。

那么在過流故障條件方面呢，當高端 FET 導通時，>93A 的瞬時 SW 電流(流出 SW 的凈電流)將使過流 (OC) 比較器跳閘并設置內(nèi)部 OC 狀態(tài)。 發(fā)生這種情況時，無論 PWM 引腳狀態(tài)如何，高端 FET 將關閉，低端 FET 將開啟，直到 SW 電流降至 5A，此時 OC 狀態(tài)將被重置。正常的 PWMHI 至高端 FET 和 PWMLO 至低端 FET 操作恢復。 當?shù)投?FET 開啟時，<–45A 的瞬時 SW 電流(流入 SW 的凈電流)將使 OCN 比較器跳閘。 發(fā)生這種情況時，無論 PWM 引腳狀態(tài)如何，低端 FET 將關閉，高端 FET 將打開，直到 SW 電流增加到 –8A，此時 OCN 狀態(tài)將被重置。 正常的 PWMHI 到高端 FET 和 PWMLO 到低端 FET 操作恢復。 在 OC 或 OCN 條件下，F(xiàn)LTB 被拉低。

此外，對于有源二極管模式，如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (>5A) 電流仍在從 VIN 流經(jīng)頂部 FET 到 SW，則 FET 頂部將關閉，底部 FET 將開啟以續(xù)流電流，直到它達到 被降低了。如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (≥8A) 電流仍在從 SW 流經(jīng)頂部 FET 到 VIN，則頂部 FET 將不會關閉，直到電流斜坡下降。類似地，如果 PWM 從低到 Hi-Z 狀態(tài)，而大 (≥8A) 電流仍然流經(jīng)底部 FET 從 SW 到 PGND，底部 FET 將關閉，頂部 FET 將打開以續(xù)流電流直到 它已經(jīng)下降。 如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (>5A) 電流仍在從 PGND 流經(jīng)底部 FET 到 SW，則底部 FET 將不會關閉，直到電流斜坡下降。

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