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[導(dǎo)讀]我們生活在一個(gè)設(shè)計(jì)師似乎一直在追求更高效率的世界。我們希望以更少的功率輸出更多的功率!更高的系統(tǒng)效率是團(tuán)隊(duì)的努力,包括(但不限于)性能更好的柵極驅(qū)動(dòng)器、控制器和新的寬帶隙技術(shù)。

我們生活在一個(gè)設(shè)計(jì)師似乎一直在追求更高效率的世界。我們希望以更少的功率輸出更多的功率!更高的系統(tǒng)效率是團(tuán)隊(duì)的努力,包括(但不限于)性能更好的柵極驅(qū)動(dòng)器、控制器和新的寬帶隙技術(shù)。

具體來(lái)說(shuō),大電流柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)最大限度地減少開關(guān)損耗來(lái)幫助提高整體系統(tǒng)效率。當(dāng) FET 開關(guān)或開啟和關(guān)閉時(shí)會(huì)發(fā)生開關(guān)損耗。要打開 FET,必須對(duì)柵極電容充電超過(guò)閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流有利于柵極電容的充電。驅(qū)動(dòng)電流能力越高,電容充電或放電的速度就越快。能夠提供和吸收大量電荷可以最大限度地減少功率損耗和失真。(傳導(dǎo)損耗是 FET 中另一種類型的開關(guān)損耗。傳導(dǎo)損耗由 FET 的內(nèi)阻或 R DS(on) 定義,其中 。FET 在傳導(dǎo)電流時(shí)消耗功率。)

換句話說(shuō),目標(biāo)是在需要高頻電源轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)中最小化開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間段。突出這種性能的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)范是上升和下降時(shí)間的組合。參見圖 1。

如何使電源實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率

1:典型的上升和下降時(shí)間圖

如果我們想更上一層樓,延遲匹配等柵極驅(qū)動(dòng)器功能可以有效地將驅(qū)動(dòng)電流能力加倍。延遲匹配是兩個(gè)通道之間內(nèi)部傳播延遲的匹配。這是通過(guò)并聯(lián)雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出或?qū)⑼ǖ肋B接在一起來(lái)實(shí)現(xiàn)的。例如,TI 的UCC27524A具有極其精確的 1ns(典型值)延遲匹配,可以將驅(qū)動(dòng)電流從 5A 提高到 10A。

2 顯示了合并為一個(gè)驅(qū)動(dòng)器的 UCC27524A 的 A 和 B 通道。INA 和 INB 輸入連接在一起,OUTA 和 OUTB 也是如此。一個(gè)信號(hào)控制并聯(lián)組合。

如何使電源實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率

2:UCC27524A 具有并聯(lián)輸出,可將驅(qū)動(dòng)電流能力加倍

提高系統(tǒng)效率的結(jié)果之一是增加了功率密度。在功率因數(shù)校正 (PFC) 和隔離式電源的同步整流塊、DC/DC 磚和太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中,對(duì)更高功率密度的需求是一種趨勢(shì),在這些應(yīng)用中,設(shè)計(jì)人員受限于相同尺寸(或更小?。┑攘康妮敵龉β省?

TI 的產(chǎn)品組合包括具有高電流、快速上升和下降時(shí)間以及延遲匹配的柵極驅(qū)動(dòng)器。見表 1。

類別

設(shè)備

描述

上升/下降時(shí)間

延遲匹配

 

大電流驅(qū)動(dòng)器

 

UCC27714

4A、600V 高低側(cè)驅(qū)動(dòng)器

15ns, 15ns

是的

UCC27524A

5A、高速低邊雙驅(qū)動(dòng)

7ns,6ns

是的

UCC27211A

4A120V 高邊和低邊驅(qū)動(dòng)器

7.2ns、5.5ns

是的

1:大電流柵極驅(qū)動(dòng)器

高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)降低 FET 體二極管消耗的功率來(lái)提高效率。體二極管是一種寄生二極管,是大多數(shù)類型 FET 的固有特性。它由 pn 結(jié)形成,位于漏極和源極之間。圖 1 顯示了以典型 MOSFET 電路符號(hào)表示的體二極管。

如何使電源實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率

1:包含本征體二極管的 MOSFET 符號(hào)

限制體二極管的導(dǎo)通時(shí)間將反過(guò)來(lái)降低其上消耗的功率。這是因?yàn)楫?dāng) MOSFET 處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),體二極管兩端的壓降通常高于 MOSFET 兩端的電壓。由于 P = I x V(其中 P 是功耗,I 是電流,V 是電壓降)對(duì)于相同的電流水平,通過(guò) MOSFET 通道的傳導(dǎo)損耗明顯低于通過(guò)體二極管的傳導(dǎo)損耗。

這些概念在電力電子電路的同步整流中發(fā)揮作用。同步整流通過(guò)用功率 MOSFET 等主動(dòng)控制器件替換二極管來(lái)提高這些電路的效率。減少體二極管傳導(dǎo)可以最大限度地發(fā)揮這種技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

讓我們考慮一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器。當(dāng)高端 FET 關(guān)閉且電感中仍有電流時(shí),低端 FET 的體二極管變?yōu)檎蚱?。在避免擊穿所必需的一小段死區(qū)時(shí)間之后,低側(cè) FET 導(dǎo)通并開始通過(guò)其通道導(dǎo)通。相同的原則適用于其他同步半橋配置,通常用于 DC/DC 電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。

負(fù)責(zé)高速導(dǎo)通的一個(gè)重要柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端施加信號(hào)到輸出開始變高之間的時(shí)間。圖 2 顯示了一個(gè)例子。這個(gè)想法是當(dāng) FET 重新開啟時(shí),體二極管將關(guān)閉??焖賹?dǎo)通傳播延遲可加快 FET 的導(dǎo)通速度,最大限度地縮短體二極管的導(dǎo)通時(shí)間,從而最大限度地降低損耗。

如何使電源實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率

2:時(shí)序圖,其中 t_PDLH 代表開啟傳播延遲

TI 的產(chǎn)品組合包括具有行業(yè)領(lǐng)先的高速開啟傳播延遲的柵極驅(qū)動(dòng)器。見表 1。

類別

設(shè)備

描述

開啟傳播延遲

高速驅(qū)動(dòng)器

 

VCC27517A

4A/4A 高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

13ns

UCC27611

4A/6A 高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

14ns

UCC27201A

3A、120V 高邊和低邊驅(qū)動(dòng)器

20ns

1:高速驅(qū)動(dòng)器


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