聯(lián)發(fā)科在去年12月推出了業(yè)界首款4nm芯片—天璣9000，但如今驍龍8手機(jī)已經(jīng)滿天飛，首款搭載天璣9000的手機(jī)仍未發(fā)布，預(yù)計(jì)要到3月份才會(huì)和我們見面，或由oppo find x5首發(fā)。

在華為海思的麒麟高端芯片短期內(nèi)無法生產(chǎn)的情況下，高通和聯(lián)發(fā)科兩大芯片巨頭的較量更加激烈，除了天璣9000之外，聯(lián)發(fā)科還憋了兩個(gè)大招：兩款基于5nm工藝的次旗艦芯片，天璣9000的“小弟”天璣8000，以及天璣1200的升級(jí)版—天璣1300。聯(lián)發(fā)科的芯片向來比高通便宜，這也是為什么聯(lián)發(fā)科近兩年來突飛猛進(jìn)，市場份額趕超高通的重要原因之一。不過業(yè)內(nèi)人士表示，天璣9000的成本不會(huì)低，畢竟采用了最頂級(jí)的4nm工藝、性能也和驍龍8相差無幾，而且臺(tái)積電在去年提高了代工費(fèi)。之前有消息稱，在天璣9000之外，聯(lián)發(fā)科還準(zhǔn)備了一顆次旗艦芯片天璣7000，正如去年的天璣1200和天璣1100。這款芯片基于5nm工藝，所以具備成本上的優(yōu)勢。

而根據(jù)數(shù)碼媒體的爆料，這顆次旗艦芯片并不叫天璣7000，而是會(huì)命名為天璣8000。因?yàn)槿绻刑飙^7000，會(huì)讓人感覺性能和天璣9000差距較大。天璣8000的CPU為4個(gè)A78大核+4個(gè)A55小核的架構(gòu)，GPU是Mali-G510 MC6的V9架構(gòu)，性能提升多達(dá)100%，同時(shí)能效也提升了22%。據(jù)悉，天璣8000的安兔兔跑分在75萬左右，還是工程機(jī)跑分，量產(chǎn)機(jī)型跑分大概率會(huì)在80萬+。

天璣9000對(duì)上驍龍8，天璣8000則是用于對(duì)抗驍龍888。對(duì)比驍龍888，天璣8000工藝相同、性能可能要略差一些，但具備功耗上的領(lǐng)先，同時(shí)還會(huì)有價(jià)格上的優(yōu)勢。那么天璣8000手機(jī)什么時(shí)候上市?從目前的情況看，搭載天璣8000的手機(jī)，上市時(shí)間比天璣9000還要晚，估計(jì)要在4月-5月份。這也是聯(lián)發(fā)科面臨的最大問題，臺(tái)積電產(chǎn)能有限，僅蘋果的芯片代工就已經(jīng)飽和了。市面上的一些機(jī)型并沒有采用驍龍8，首先是受制于缺芯、其次是成本上的考量，所以還是搭載了驍龍888芯片。聯(lián)發(fā)科苦于沒有一顆次旗艦芯片，只能是眼睜睜地看著手機(jī)廠商選擇高通。在天璣8000發(fā)布后，手機(jī)廠商又有了另一個(gè)選擇。

全球缺芯后，各大芯片企業(yè)都在積極擴(kuò)大芯片產(chǎn)能，其中，三星宣布未來10年投資超2000億美元，而臺(tái)積電則宣布3年投資1000億美元。

最主要的是，臺(tái)積電和三星都宣布在美建廠，臺(tái)積電建設(shè)的是5nm芯片生產(chǎn)線，而三星建設(shè)的是3nm芯片生產(chǎn)線，兩者都將會(huì)獲得一定數(shù)量的補(bǔ)貼。美基本上也確認(rèn)了520億美元的補(bǔ)貼方案，其中，390億美元主要是用于芯片工廠建設(shè)，而109億美元?jiǎng)t使用于研發(fā)中心等建設(shè)。都知道，臺(tái)積電等廠商曾加入美半導(dǎo)體聯(lián)盟，幾十家企業(yè)聯(lián)合起來向美索要超500億美元的補(bǔ)貼，如今，520億美元的補(bǔ)貼基本確定了，但卻讓臺(tái)積電將結(jié)果看清楚了。消息稱，美敲定520億美元的補(bǔ)貼，已經(jīng)決定拿出20億美元直接補(bǔ)貼給英特爾建廠。

其中，6億美元是補(bǔ)貼，7億美元用于基礎(chǔ)建設(shè)的修建和升級(jí)，其它的資金或?qū)⒂迷诟黜?xiàng)開支。而在之前，英特爾曾宣布200億美元建廠，而這只是建廠投資的一部分，未來建廠投資可能會(huì)超過1000億美元。也就是說，臺(tái)積電積極在美建廠，結(jié)果補(bǔ)貼敲定了，卻先給了英特爾，直接都是超120億元，不僅如此，英特爾還曾明提出，補(bǔ)貼應(yīng)該掌握核心技術(shù)的本土企業(yè)。

這意味著英特爾想將臺(tái)積電排除在外，不讓臺(tái)積電分享這520億美元的半導(dǎo)體芯片補(bǔ)貼。外媒：超120億元，這讓臺(tái)積電一下子看清楚美了在美建廠并獲得補(bǔ)貼這事上，臺(tái)積電基本上看清楚了，只不過這次其將120億補(bǔ)貼給英特爾，于是，就有外媒表示這讓臺(tái)積電一下子看清楚美了。其實(shí)，無論是對(duì)美還是對(duì)英特爾，臺(tái)積電的心中早就有了定論。

芯片制造技術(shù)可以說是當(dāng)下最炙手可熱的技術(shù)，因?yàn)橄冗M(jìn)芯片制造技術(shù)研發(fā)難度大、周期長。目前僅有臺(tái)積電等少數(shù)廠商掌握，另外就是全球缺芯，加劇了對(duì)芯片制造企業(yè)的依賴。據(jù)悉，臺(tái)積電是目前全球芯片制造技術(shù)最先進(jìn)的廠商，其不僅技術(shù)先進(jìn)，關(guān)鍵是產(chǎn)能也很高，僅EUV晶圓產(chǎn)能，就占了全球63%。

在4nm、3nm等先進(jìn)制程芯片上，臺(tái)積電更是處于領(lǐng)先位置，預(yù)計(jì)在今年下半年就能夠量產(chǎn)3nm制程的芯片。也就是因?yàn)榕_(tái)積電技術(shù)先進(jìn)，美等很多國家和地區(qū)都明確邀請(qǐng)臺(tái)積電建廠，目的就是想獲得臺(tái)積電最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)。由于芯片等規(guī)則被修改，臺(tái)積電在美建設(shè)5nm芯片生產(chǎn)線，盡管如此，美并不滿足，其不僅想要臺(tái)積電最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，還要臺(tái)積電將更多芯片產(chǎn)能放在美。

對(duì)此，外界也很關(guān)心臺(tái)積電的態(tài)度，尤其是在先進(jìn)制程芯片技術(shù)方面。進(jìn)入2022年后，多個(gè)關(guān)于臺(tái)積電的消息正式傳來，可以說，在先進(jìn)芯片制造技術(shù)方面，臺(tái)積電不再掩飾，對(duì)美ASML亮出了實(shí)態(tài)，結(jié)果來了。據(jù)悉，臺(tái)積電將會(huì)在今年下半年正式量產(chǎn)3nm芯片，2023年推出加強(qiáng)版的4nm芯片。并在2024年推出采用Nanosheet / Nanowire 的晶體管結(jié)構(gòu)和二維材料的2nm芯片。但最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)其是不會(huì)給的。因?yàn)?a href="/tags/臺(tái)積電" target="_blank">臺(tái)積電計(jì)劃在2022年繼續(xù)建設(shè)6座晶圓工廠，2nm芯片工廠則建設(shè)在臺(tái)灣省，同時(shí)，大力提升臺(tái)灣省5/4/3nm等芯片的產(chǎn)能。