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[導讀]據(jù)媒體報道,半導體廠商Semtech近日發(fā)布漲價函,將于3月14日后對所有TVS(瞬態(tài)電壓抑制二極管)新訂單進行漲價。

據(jù)媒體報道,半導體廠商Semtech近日發(fā)布漲價函,將于3月14日后對所有TVS(瞬態(tài)電壓抑制二極管)新訂單進行漲價。

TVS即瞬態(tài)電壓抑制器,是普遍使用的一種新型高效電路保護器件。它具有極快的響應時間(亞納秒級)和相當高的浪涌吸收能力,可用于保護設備或電路免受靜電、電感性負載切換時產生的瞬變電壓,以及感應雷所產生的過電壓。普通的TVS二極管由單個PN節(jié)結構形成,結構單一,工藝簡單。ESD保護器件對結構設計和工藝要求更高,結構更加復雜,一般設計成多路PN結集成結構,采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護,代表著當前TVS的技術水平和發(fā)展方向。TVS/ESD保護器件的應用領域廣泛,隨著在5G基礎設施和5G手機、電動汽車充電樁、個人電腦、工業(yè)電子等市場的推動下,業(yè)內人士預計TVS/ESD保護器件將大幅度增長。

據(jù)《電子時報》報道,IC設計業(yè)者稱,臺積電計劃第三季度將再調漲8英寸成熟制程代工報價,幅度約10~20%。其12英寸成熟與先進制程則還在評估中。

IC設計業(yè)者進一步指出,目前來看,以8英寸為代表的成熟制程產能仍相當搶手,擴產仍有限,臺積電應能順利漲價,也將帶動漲勢放緩的二線廠有理由同步跟漲。

隨著電動車、5G智能手機、服務器等下游市場需求量不斷攀升,供應端產能頻頻吃緊。晶圓代工環(huán)節(jié),成熟制程產能緊缺情況更甚。

此前報道稱,今年韓國國內8英寸半導體代工產能預訂實際上已經結束,預計今年的半導體供應也將因代工產能的不足,面臨與去年相似的困境。

芯片代工廠東部高科(DB HiTek)宣布將在第二季度關閉訂單通道。預計第三、第四季度的代工產能將在開始接受預訂后就售罄。此外,Key Foundry稱,今年的產能也已被預訂完畢。

根據(jù)市場研究機構Trendforce最新數(shù)據(jù)顯示,8英寸晶圓產能自2019下半年起就呈現(xiàn)嚴重供不應求。為解決8英寸產能爭奪問題,仍須待主流產品大量轉進至12英寸廠制造,預估該時間約在2023下半年至2024年。

值得一提的是,據(jù)業(yè)內人士透露,由于8英寸產能吃緊,國際IDM正計劃將車用MOSFET和IGBT功率模塊從8英寸遷移至12英寸產線。

據(jù)全球半導體觀察報道,近日英飛凌向經銷商發(fā)布通知,由于市場供不應求及上游成本的增加,英飛凌或將醞釀新一輪漲價,但具體漲價幅度及品類暫未披露。

民生證券指出,作為全球功率半導體龍頭,2019年英飛凌在MOSFET領域市占率高達25%,IGBT領域市占率更超30%,因此英飛凌的漲價預警對行業(yè)景氣度風向有重要參考意義。

其進一步指出,從富昌電子一季度行情報告來看,功率半導體龍頭貨期及價格趨勢依舊向上;英飛凌、意法半導體等海外龍頭對22年業(yè)績展望均保持樂觀,其中意法半導體更表示22年產能已售空;海外部分地區(qū)逆變器漲價9%,客戶接受度較高,預計22Q4之前芯片緊張都很難有大改善。

民生證券認為,由于新能源汽車、光伏風電需求持續(xù)高漲,功率半導體行業(yè)供不應求趨勢將持續(xù),預計功率半導體尤其IGBT、中高壓MOS市場的高景氣將持續(xù)。

據(jù)《電子時報》報道,IC設計業(yè)者稱,臺積電計劃第三季度將再調漲8英寸成熟制程代工報價,幅度約10~20%。其12英寸成熟與先進制程則還在評估中。

IC設計業(yè)者進一步指出,目前來看,以8英寸為代表的成熟制程產能仍相當搶手,擴產仍有限,臺積電應能順利漲價,也將帶動漲勢放緩的二線廠有理由同步跟漲。

隨著電動車、5G智能手機、服務器等下游市場需求量不斷攀升,供應端產能頻頻吃緊。晶圓代工環(huán)節(jié),成熟制程產能緊缺情況更甚。

此前報道稱,今年韓國國內8英寸半導體代工產能預訂實際上已經結束,預計今年的半導體供應也將因代工產能的不足,面臨與去年相似的困境。

芯片代工廠東部高科(DB HiTek)宣布將在第二季度關閉訂單通道。預計第三、第四季度的代工產能將在開始接受預訂后就售罄。此外,Key Foundry稱,今年的產能也已被預訂完畢。

根據(jù)市場研究機構Trendforce最新數(shù)據(jù)顯示,8英寸晶圓產能自2019下半年起就呈現(xiàn)嚴重供不應求。為解決8英寸產能爭奪問題,仍須待主流產品大量轉進至12英寸廠制造,預估該時間約在2023下半年至2024年。

值得一提的是,據(jù)業(yè)內人士透露,由于8英寸產能吃緊,國際IDM正計劃將車用MOSFET和IGBT功率模塊從8英寸遷移至12英寸產線。

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