三星電子(韓國語：???? [1] )是韓國最大的電子工業(yè)企業(yè)，同時也是三星集團旗下最大的子公司。1938年3月三星電子于韓國大邱成立，創(chuàng)始人是李秉喆。副會長是李在镕和權(quán)五鉉，社長是崔志成，首席執(zhí)行官是由權(quán)五鉉、申宗鈞、尹富根三位組成的聯(lián)席CEO。在世界上最有名的100個商標的列表中，三星電子是唯一的一個韓國商標，是韓國民族工業(yè)的象征。 [2] 2014年11月12日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子已經(jīng)起訴英偉達，稱其侵犯了公司幾項半導體相關(guān)專利以及投放相關(guān)產(chǎn)品的虛假廣告。在2014年9月，英偉達曾將三星告上法庭。2019年10月，2019福布斯全球數(shù)字經(jīng)濟100強榜位列3位。

芯片的發(fā)展越來越迅速，先進制程芯片量產(chǎn)的速度也是越來越快，從28納米，就這么幾年的時間，如今已經(jīng)成功挺進到4納米。這意味著什么?意味著芯片先進制程已經(jīng)即將就要接觸到摩爾定律的極限了。

當然，如今全球企業(yè)在芯片先進制程上依舊還在不斷努力中，三星，這個國際性的全能企業(yè)，在3納米芯片方面也傳來了新進展，據(jù)說三星準備在3納米方面采用新工藝。那么，這次三星是否真能實現(xiàn)3納米的量產(chǎn)嗎?畢竟三星叫嚷3納米也已經(jīng)有很多年了，但是連影子都沒見到。

三星如今研發(fā)出這樣一個更加先進的3納米制程工藝，那么究竟有沒有希望能挽回有點要跑掉的高通呢?

根據(jù)韓國媒體報道，三星今年準備在韓國平澤市開工建設(shè)3納米晶圓廠，目前預(yù)計可能會在6月份還7月份動工，并且還準備一并將相應(yīng)的設(shè)備落實到位。在3納米芯片的制程工藝上，三星大有破釜沉舟的樣子。

我國的臺積電也確實有向3納米芯片進軍，但是，目前臺積電使用的可是比較傳統(tǒng)的FinFET工藝。而三星偏不，三星這次準備用什么呢?準備使用新工藝，準備成為第一個吃螃蟹的人。這個新工藝就是GAA晶體管工藝。

這種新工藝主要就是利用新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過相關(guān)納米片設(shè)備和相關(guān)技術(shù)進行相關(guān)的堆疊，形成多橋通道場效應(yīng)管。

當然，三星會有這樣的舉動也并不奇怪，畢竟就按照理論上來說，使用這種全新的GAA晶體管工藝生產(chǎn)出來的芯片也確實會比傳統(tǒng)用FinFET工藝，在整體性能上會有很大的增強，具體來說。

使用GAA新工藝生產(chǎn)出來的芯片，功耗據(jù)說大約能降低50%，性能可以提高35%，至少還是從理論上來說，因為目前還沒有人試過，三星用這種新工藝生產(chǎn)的芯片，確實會優(yōu)于臺積電的傳統(tǒng)功能工藝。

但是，三星的3納米新工藝芯片要想實現(xiàn)超越臺積電傳統(tǒng)工藝的3納米芯片，那么，首先就要一個大變數(shù)。那就是三星在3納米芯片方面已經(jīng)喊了幾年了，但是目前也僅僅看見三星動動嘴皮子，那么，這次三星傳出準備采用新工藝，準備建廠，這次真有希望能實現(xiàn)3納米芯片的量產(chǎn)嗎?

其實，三星這次還是很有希望能實現(xiàn)自身這種使用更先進新技術(shù)，3納米芯片的量產(chǎn)的。在2020年11月9日，三星就定下了在2022年，也就是今年實現(xiàn)3納米芯片量產(chǎn)的遠大目標，當時，根據(jù)相關(guān)三星高管透露，三星不僅僅定下了目標，甚至還制定了行動計劃，預(yù)計想要投入1160億美元發(fā)展芯片。

這樣的資金投入無疑也是非常巨大的，在這樣巨大的資金投入下，加上如今在3納米芯片方面，三星已經(jīng)研究了整整差不多有兩年的時間了，在時間也不短，投入也不少的情況下，想要在今年實現(xiàn)3納米芯片的量產(chǎn)，其實也不是不可能。

近日，三星電子被該黑客組織盯上了，并被泄露了大量機密數(shù)據(jù)。據(jù)悉，黑客組織Lapsus$先是發(fā)布了一張三星軟件里的C/C++ 指令截圖，隨后便對泄密內(nèi)容進行了公布，稱其中包含三星機密源代碼。

該黑客組織稱，泄露的數(shù)據(jù)包括：用于敏感操作的三星TrustZone 環(huán)境中安裝的每個受信任小程序 (TA) 的源代碼(例如硬件加密、二進制加密、訪問控制)、所有生物特征解鎖設(shè)備算法、所有最新三星設(shè)備的引導加載程序源代碼、三星激活服務(wù)器的源代碼、用于授權(quán)和驗證三星帳戶的技術(shù)的完整源代碼(包括 API 和服務(wù))、來自高通的機密源代碼等。

在最新的聲明中，三星電子承認了源代碼泄露的事實，稱旗下Galaxy設(shè)備被泄露了近200GB大小的數(shù)據(jù)信息，并可能包含部分高通的機密信息。但三星電子也在聲明中表示，“雖然被泄露的數(shù)據(jù)中含有部分內(nèi)部數(shù)據(jù)，但沒有員工個人數(shù)據(jù)?！?

一名三星發(fā)言人進一步對外解釋稱，“根據(jù)我們初步分析，數(shù)據(jù)泄密不包括我們的消費者。目前預(yù)計我們的業(yè)務(wù)或客戶不會受到任何影響。我們已采取措施防止此類事件再次發(fā)生。并將在不受干擾的情況下繼續(xù)為我們的客戶服務(wù)。”

但從目前一部分行業(yè)人士的態(tài)度來看，大家顯然不這么認為。多位業(yè)內(nèi)人士對新浪科技表示，“這次泄露對三星的影響不小，可能不會像官方聲明中說的那般微不足道。”

近兩年由三星代工的高通旗艦芯片性能方面表現(xiàn)不佳，讓用戶把矛頭直指 FinFET 晶體管工藝，現(xiàn)如今，三星宣布首發(fā) GAA 晶體管工藝，主要用于即將來到的 3nm 芯片。

三星此次主張激進打法，率先使用 GAA 晶體管工藝代替已有的 FinFET 晶體管工藝，主要還是因為在 7nm 、5nm 及 4nm 上表現(xiàn)落后，早前還有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率，以至于高通將會在 8 Gen 1 Plus 上就提前更換為臺積電代工，不難看出三星的窘?jīng)r。

GAA 是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，利用 GAA 結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)更好的柵控能力和漏電控制，同時由于生產(chǎn)技術(shù)與 FinFET 基本相差無幾，在成本控制上也會有優(yōu)勢，這也是為何三星急于研發(fā) GAA 而幾乎放棄對 FinFET 晶體管工藝進行優(yōu)化。

根據(jù)報道，三星已經(jīng)做好在韓國平澤市的P3工廠開工建設(shè) 3nm 晶圓廠的準備，預(yù)計今年6、7月份動工，并同時導入設(shè)備。按照這個進度，最快明年我們就能看到采用 3nm 工藝的新芯片量產(chǎn)，屆時也將會是三星與臺積電新一輪的正面交鋒，你看好誰呢?

3月9日消息，此前三星就曾宣布，其3nm工藝已經(jīng)研發(fā)完成，預(yù)計會在今年第二季度開始試產(chǎn)，比臺積電的進度更快。近日，韓國媒體報道稱，三星已經(jīng)準備在韓國平澤市的P3工廠開工建設(shè)3nm晶圓廠，預(yù)計6月份前后動工，屆時就能導入設(shè)備并開始試產(chǎn)調(diào)試了。

顯然，這個進度比三星公布的時間要慢不少，預(yù)計到年底也只能進行小規(guī)模的量產(chǎn)。而臺積電的3nm工藝應(yīng)該也能在今年第四季度之前開始量產(chǎn)，這樣一來兩家的時間就相差不多了，大規(guī)模量產(chǎn)都要拖到明年了。

不過，按照三星公布的消息，其3nm工藝采用的是更為先進的GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，相比與臺積電的FinFET晶體管技術(shù)會更為先進。在性能、功耗、芯片面積等各個方面，紙面參數(shù)都是要比臺積電3nm工藝更優(yōu)秀的。

相比與7nm工藝，三星3nm GAA工藝的芯片邏輯面積提高45%以上，功耗降低50%，性能提高約35%。如果真的能達到這樣的水準，那確實有機會在3nm技術(shù)上實現(xiàn)彎道超車，一舉追上臺積電。之前，三星的7nm、5nm工藝表現(xiàn)都不如臺積電，三星也是把寶都壓在了3nm工藝上，并且在技術(shù)上還領(lǐng)先了一步，希望這一次能有大幅提升

之前有傳言稱，臺積電的3nm工藝產(chǎn)能已經(jīng)被蘋果、英特爾提前預(yù)定，高通、AMD等其他廠商分不到多少，所以準備轉(zhuǎn)頭三星3nm。高通這邊想要第一時間用上先進工藝，也就只能找三星了。如果三星3nm工藝能達到理論性能，那高通旗艦芯片也有機會迎來一波大的性能提升。