2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已獲準在納斯達克資本市場(Nasdaq Capital Market，簡稱“納斯達克”)上市。

Transphorm股票在納斯達克市場的交易預計將于2022年2月22日開市時開始，并將繼續(xù)使用股票代碼“TGAN”。在轉入納斯達克市場前，Transphorm的股票將繼續(xù)在OTCQX上交易。公司股東無需因轉板納斯達克而采取任何行動。Transphorm總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人Primit Parikh對此公告評論道：“轉板納斯達克是Transphorm發(fā)展歷程中的一個重要里程碑，既證明了Transphorm團隊的全心投入和辛勤工作，也證明了我們在打造全球領先的氮化鎵公司的過程中與寶貴客戶和合作伙伴之間的密切協(xié)作。”

Transphorm的專利氮化鎵平臺在功率轉換應用性能要求的關鍵方面不同于競爭對手的解決方案——從45W快速充電器/電源適配器到4kW游戲、數(shù)據(jù)中心服務器、加密貨幣挖礦和工業(yè)電源供應，再到可再生能源/能源及幾十千瓦的更高功率汽車轉換器和逆變器應用。Transphorm是少數(shù)幾家垂直整合的高壓氮化鎵制造商之一，通過創(chuàng)新、外延晶片(核心原始材料)和制造工藝控制其氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)設計。Transphorm Inc (股票編號：OTCB TGAN)成立于2007年，總部位于加利福尼亞州戈萊塔，是氮化鎵(GaN)功率半導體器件的先驅和領先供應商，同時也是少數(shù)擁有自主研發(fā)、生產和應用能力的生產廠家。目前擁有員工100多人，其中博士18人，在氮化鎵領域工作經驗總和超過300年。擁有關于氮化鎵研發(fā)和應用的專利超過1000項。在美國加州和日本都設有工廠，年產能達三萬片。

幾十年來，硅基功率晶體管(MOSFET、場效應晶體管)構成了功率轉換系統(tǒng)的支柱，可將交流電 (AC) 轉換為直流電 (DC)，反之亦然，或將直流電從低壓轉換為高壓。在尋求可以提高開關速度的替代品時，氮化鎵 (GaN) 迅速成為領先的候選材料之一。GaN/AlGaN 材料體系表現(xiàn)出更高的電子遷移率和更高的擊穿臨界電場。結合高電子遷移率晶體管 (HEMT) 架構，與同類硅解決方案相比，它使器件和 IC 具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更低的電導損耗和更小的占位面積。GaN 是高功率應用的首選材料，因為導致晶體管擊穿的臨界電壓(擊穿電壓)比硅高 10 倍。但對于低功率應用，GaN 仍然具有優(yōu)于硅的優(yōu)勢，因為它具有出色的開關速度?！拔覀儎?chuàng)建的基于 GaN 的 IC 為更小、更高效的 DC/DC 轉換器和負載點 (PoL) 轉換器開辟了道路。例如，智能手機、平板電腦或筆記本電腦包含可在不同電壓下工作的芯片，因此它們需要 AC/DC 轉換器來為電池充電，并需要設備內部的 PoL 轉換器來產生不同的電壓。這些組件不僅包括開關，還包括變壓器、電容器和電感器。晶體管開關速度越快，這些組件就越小。

目前氮化鎵可是有相當前景的，近日有投資者提問：“氮化鎵能突破激光雷達發(fā)光和遠度的瓶頸和探測高頻使用場景關鍵需求。激光雷達這個應用場景，硅和碳化硅都沒有辦法解決快速開關的要求，是對氮化鎵的剛需市場，也是氮化鎵進入汽車領域的第一個應用場景。公司哪個子公司現(xiàn)在在這方面有投入?”。賽微電子于3月22日在投資者互動平臺回應稱，公司瑞典及北京產線均在開展激光雷達MEMS振鏡的工藝開發(fā)業(yè)務;公司控股子公司聚能創(chuàng)芯具備成熟的氮化鎵(GaN)外延材料生長及芯片設計工藝技術;公司子公司之間有開展相關研發(fā)合作。但由于車規(guī)產品的可靠性驗證及認證周期較長，相關業(yè)務的成熟與發(fā)展尚需時日。

氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。