4月2日消息，據(jù)韓國媒體《韓國商業(yè)》報道，近日，三星電子位于中國西安的第二座NAND Flash閃存工廠已完成擴建，并開始全面生產(chǎn)。這實際上也意味著美國倡導的“芯片四方聯(lián)盟”剛提出半個月，即已實際破滅。

根據(jù)3月下旬韓國經(jīng)濟媒體《首爾經(jīng)濟》的報道稱，美國近日向韓國及主要半導體企業(yè)提議組成“芯片四方聯(lián)盟”(Chip 4)，也向日本及中國臺灣發(fā)出了邀請，這個聯(lián)盟如果真的組建并真的發(fā)揮作用不給中國提供芯片，那對中國影響巨大，因為中國大陸僅2021年就貢獻了全球半導體市場一半以上的銷售額，達到2991億美元，中國大陸是全球最大的電子產(chǎn)品制造地，但沒有芯片沒法生存。美國老是做這種損人利已的夢想，問題是只有美國受益，別的國家卻跟著倒霉。據(jù)悉，韓國就根本無法接受美國的建議。報道稱，三星西安NAND Flash閃存第二工廠自3月初以來一直在滿負荷運轉，每月可生產(chǎn)13萬片12英寸的晶圓，比第一工廠每月12萬片要高出1萬片。

這也使得三星在西安生產(chǎn)的NAND Flash閃存的產(chǎn)量達到了25萬片/月，在目前三星全球NAND Flash總產(chǎn)量當中的占比達到了40%以上，同時在全球NAND Flash總產(chǎn)能當中的占比也達到了10%。三星怎么可能會放棄百億美元的投資以及中國巨大的芯片市場呢?根據(jù)報道，三星西安NAND Flash閃存工廠是三星唯一的海外閃存工廠，預計總投資為70 億美元，但隨后在一期項目進行擴建后，使得整體投資金額達到了108.7 億美元。要是搬遷這個工廠，那百億美元就打了水漂，而且三星閃存產(chǎn)品的供應也會斷了，將造成的損失遠不止百億美元。

美國這種損人利己的做法同樣發(fā)生在烏克蘭。據(jù)俄羅斯衛(wèi)星通訊社4日報道，美國迫使歐洲制裁俄羅斯，而自己卻不僅還在繼續(xù)從俄羅斯進口石油，且過去一周的進口規(guī)模還大漲43%，達到每日10萬桶!此外，美方還批準本國公司從俄羅斯進口礦物肥料，稱這是生活必需品。但美國并未允許歐洲人也這么做。這導致國家石油和天然氣保障，歐洲國家被迫支付高價格。

Digitimes 報道稱，三星電子 (Samsung Electronics) 唯一海外存儲器生產(chǎn)廠，中國西安 NAND Flash 廠區(qū)第二工廠日前已完成擴建并投產(chǎn)。據(jù)悉，該廠是三星在韓國本土之外，唯一的存儲芯片廠。通過此次擴建，三星電子的 NAND 閃存生產(chǎn)能力將占世界市場的 10% 以上。

陜西日報消息指出，西安三星半導體一期項目于 2012 年 9 月開工建設，2014 年 5 月建成投產(chǎn)，投資總額由建廠時計劃的 70 億美元增加到實際完成投資 108.7 億美元，其中閃存芯片項目投資 100 億美元，封裝測試項目投資 8.7 億美元。

曾報道，2017 年 8 月 30 日，西安三星半導體投資 70 億美元在西安高新區(qū)建設 12 英寸閃存芯片二期項目，新建一條閃存生產(chǎn)線。2019 年 12 月，該公司決定再投資 80 億美元，擬對二期項目進行擴建，實現(xiàn)增產(chǎn)及產(chǎn)品迭代。

據(jù)悉，三星電子、SK 海力士等韓國半導體大廠都在中國設廠，且生產(chǎn)量市占整個半導體工廠的一半。三星電子在中國西安建立生產(chǎn) NAND Flash 存儲芯片月產(chǎn)可以達到 26.5 萬片 12 吋晶圓。而 SK 海力士也在考慮將重要的生產(chǎn)線遷移至中國當?shù)厣a(chǎn)。

2012年9月，西安三星半導體一期項目開工建設，2014年5月建成投產(chǎn)。投資總額由建廠時計劃的70億美元增加到實際完成投資108.7億美元，其中閃存芯片項目投資100億美元，封裝測試項目投資8.7億美元。

2017年8月30日，西安三星半導體投資70億美元在西安高新區(qū)建設12英寸閃存芯片二期項目，新建一條閃存生產(chǎn)線。2019年12月，該公司決定再投資80億美元，擬對二期項目進行擴建，實現(xiàn)增產(chǎn)及產(chǎn)品迭代。

據(jù)公開數(shù)據(jù)統(tǒng)計，通過此次擴建，三星電子的NAND閃存生產(chǎn)能力，極有可能占世界市場的10%以上。

美國參議院再次通過了一項向半導體芯片制造提供520億美元補貼的初步法案。之后，參眾兩院有望開啟談判，法案的最終協(xié)議可能在今年夏季達成。

自新冠疫情爆發(fā)以來的兩年內(nèi)，美國經(jīng)歷了嚴重的半導體短缺，拜登政府希望以此擴大美國國內(nèi)的芯片制造產(chǎn)能。不過，這引申出了一個問題：芯片補貼法案是否有必要納入非美國公司。

臺積電(104.79, 2.00, 1.95%)和三星電子(208.25, 0.00, 0.00%)已明示美國政府，希望外國半導體公司在美國設廠時，能被納入到520億美元補貼范圍之中。但英特爾(49.2, 1.09, 2.27%)公司多次表示，美國納稅人的錢應該只流向國內(nèi)公司。但事實上，英特爾最頂級的技術比臺積電和三星至少落后了一代。

臺積電表示：“基于公司總部所在地的任何偏袒和優(yōu)待，并不利于對補貼法案的有效或高效使用，同時也忽視了大多數(shù)領先半導體公司的公共所有權。”

臺積電還補充說，美國不應該試圖復制現(xiàn)有的供應鏈，而應專注于開發(fā)先進技術來提高競爭力。此外，臺積電還呼吁美國改革移民政策，吸引外國人才幫助推動創(chuàng)新。

三星電子公司也對臺積電的意見表達了贊同態(tài)度。三星稱，美國政府應確保所有符合條件的公司，無論其來自哪里，都能“在一個平等的環(huán)境中”競爭美國的資金。

目前臺積電正在美國亞利桑那州新建一座價值120億美元的工廠，目標是在2024年生產(chǎn)5納米芯片，而三星正在得克薩斯州建造一座價值170億美元的工廠，也計劃在同一年開始大規(guī)模生產(chǎn)。

與此同時，英特爾已宣布在俄亥俄州建立一個價值200億美元的新芯片中心，并在亞利桑那州建造兩個新工廠，以提高公司在美國國內(nèi)的產(chǎn)能。