航天器系統(tǒng)設計人員非常需要縮短系統(tǒng)開發(fā)時間，并降低系統(tǒng)開發(fā)成本和風險。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)提出從商用現(xiàn)貨(COTS)器件開始，然后用宇航級等效耐輻射(RT)元件進行替換的理念。Microchip今日宣布擴展其基于商用現(xiàn)貨技術的耐輻射SuperFlash®產品系列，將Microchip存儲器技術無與倫比的50千拉德(krad)總電離劑量(TID)耐受引入64兆位串行四通道I/O NOR閃存器件，用于惡劣的航天和國防系統(tǒng)環(huán)境。

Microchip航天與國防業(yè)務部助理副總裁Bob Vampola表示：“SST26LF064RT SuperFlash器件為64兆位串行四通道I/O存儲器解決方案帶來市場上最佳的TID性能，可與各種空間應用中的任何基于SRAM的FPGA一起工作。這款器件適合近地軌道(LEO)空間衛(wèi)星和其他惡劣輻射環(huán)境中所用的系統(tǒng)，在這些環(huán)境中存儲驅動完整系統(tǒng)的關鍵軟件代碼或比特流需要配套閃存?！?

與常規(guī)堆疊式柵極閃存相比，Microchip SuperFlash NOR閃存產品提供專有分離式柵極單元架構以改善性能、提高數(shù)據保留和可靠性。這些產品消除了電源管理切換的復雜性，即使在閃存仍處于供電和系統(tǒng)運行狀態(tài)時(比如衛(wèi)星機載計算機和面向電機、傳感器、太陽能電池板與配電的不同類型控制器)，也能實現(xiàn)業(yè)內高TID。Microchip RT SuperFlash技術已在工業(yè)應用中得到驗證，現(xiàn)已作為并行接口解決方案與64兆位SST38LF6401RT器件配合使用，該器件現(xiàn)已通過宇航級認證，可用于航天器搭載模型。借助SST26LF064RT產品，設計人員現(xiàn)在還可以選擇串行四通道I/O 64兆位存儲器。

應用筆記說明如何將64兆位串行SuperFlash器件與Microchip的SST26LF064RT RT閃存參考評估板和宇航級基于SRAM 的FPGA配合使用。與Microchip的并行SuperFlash存儲器一樣，串行SuperFlash產品也可用作FPGA和其他Microchip解決方案的配置存儲器，比如基于arm® Cortex®-M7的SAMRH707抗輻射單片機(MCU)。該產品也可與RT PolarFire® FPGA配合使用，以支持航天器搭載系統(tǒng)的重新配置

供貨

Microchip RT SST26LF064RT SuperFlash存儲器現(xiàn)在提供陶瓷封裝樣品。此外，SST38LF6401RT(并行)陶瓷和塑封型航天型號現(xiàn)已供貨。這些器件與耐輻射FPGA(RTG4和耐輻射Polarfire)、抗輻射微處理器SAMRH71和抗輻射單片機SAMRH707互補。如需了解更多信息(包括價格)，請聯(lián)系Microchip代表或全球授權分銷商。

Microchip從COTS到耐輻射產品的工藝

通過改進旗下成熟可靠的汽車或工業(yè)標準產品系列中相關器件的硅工藝，Microchip使這些器件免受重離子環(huán)境中的單粒子閂鎖影響。通過為每個功能塊提供專門的輻射報告，這些經過少量修改的器件的輻射性能得到充分的表征。設計人員可以使用易于獲取的COTS器件開始系統(tǒng)部署，然后在PCB階段將其替換為引腳兼容的宇航級器件。