5月9日，最新消息稱，全球最大半導體代工廠臺積電已經決定上馬1.4nm工藝，團隊主要由之前研發(fā)3nm工藝的隊伍組成，下個月將會確認，進入第一階段TV0開發(fā)，主要是制定1.4nm的技術規(guī)格。

在高精尖芯片工藝方面，臺積電有多手準備，目前的3nm計劃在今年下半年開始小規(guī)模量產，2nm工藝還處在建設過程，技術研發(fā)已經差不多了，預計2024年開始試產，大規(guī)模量產估計要等到2026年了。

據了解，1nm這個工藝節(jié)點被認為是摩爾定律的物理極限，制造起來相當困難，而1.4nm已經進入1nm的工藝范疇，無論是制造設備、材料，還是工藝路線都需要全面升級，即便是2nm已經實現(xiàn)了大規(guī)模量產，恐怕1.4nm也需要再等個幾年。

此前，三星將會在3nm這個節(jié)點中采用全新的GAA FET工藝來提高技術領先地位，實現(xiàn)“彎道超車”，現(xiàn)在已經成功流片，而臺積電方面依舊使用FinFET，可能到2nm節(jié)點才會使用GAA架構。目前可以確定的是，GAA架構相比于FinFET有著更好的靜電特性，尺寸也可以進一步微縮，適合發(fā)展密度更高的晶體管。

半導體進入10nm節(jié)點工藝后，能玩得起的公司主要就是臺積電、三星和英特爾了，如今半導體代工行業(yè)里，占據份額最高，工藝制程最先進的還屬臺積電。有分析師稱，Intel會在2025年憑借18A工藝實現(xiàn)超越。雖然臺積電目前還處于領先地位，但三星、英特爾追趕的速度很快，要保持行業(yè)優(yōu)勢，或許只能朝著更先進工藝進發(fā)。

不出意外，蘋果、英特爾還是第一批吃上臺積電最先進工藝制程的大客戶，安卓陣營可能需要等三星3nm GAA工藝落地。不論如何，工藝制程對性能、能效比等方面的提升還是很明顯的。

當然了，現(xiàn)在談論1.4nm還為時過早，3nm的良率、生產規(guī)模尚未成熟，2nm就更別提了。就算1.4nm研發(fā)十分順利，可能也要等到2028年，而且小雷預計2nm、1.4nm這兩個節(jié)點的芯片，代工成本都會有所上漲。