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[導(dǎo)讀]近日,存儲(chǔ)芯片大廠美光(Micron)發(fā)布表了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,并計(jì)劃將這款 232 層堆棧 3D NAND Flash芯片應(yīng)用于包括固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品上,預(yù)計(jì)在 2022 年底左右開(kāi)始量產(chǎn)。

近日,芯片" target="_blank">存儲(chǔ)芯片大廠美光(Micron)發(fā)布表了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,并計(jì)劃將這款 232 層堆棧 3D NAND Flash芯片應(yīng)用于包括固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品上,預(yù)計(jì)在 2022 年底左右開(kāi)始量產(chǎn)。

據(jù)介紹,這款232 層堆棧的 3D NAND Flash采用的是3D TLC 架構(gòu),原始容量為 1Tb(128GB)。而且,該存儲(chǔ)器基于美光的 CuA 架構(gòu),并使用 NAND 字符串堆棧技術(shù),在彼此的頂部建立兩個(gè) 3D NAND 陣列。而在 CuA 設(shè)計(jì)的 232 層堆棧的3D NAND Flash中,將大大減少美光 1Tb 3D TLC NAND Flash 的尺寸,這有望于降低生產(chǎn)成本,使美光能夠?qū)Σ捎眠@些存儲(chǔ)器的設(shè)備進(jìn)行更有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià),或者增加其利潤(rùn)率。

不過(guò),美光并沒(méi)有宣布其新的 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片的 I/O 速度或平面數(shù)量,但暗示與現(xiàn)有的 3D NAND Flash相比,新的存儲(chǔ)器將提供更高的性能,這對(duì)采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特別有用。此外,美光還強(qiáng)調(diào) 232 層堆棧的 3D NAND Flash將比上一代的產(chǎn)品更功耗更低,使用在低功耗產(chǎn)品上更具節(jié)能優(yōu)勢(shì)。

美光是全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一,其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存、NOR閃存、SSD固態(tài)硬盤(pán)和CMOS影像傳感器,總公司(Micron Technology, Inc.)設(shè)于美國(guó)西北部愛(ài)達(dá)荷州的首府博伊西。2022年,美光已加入名為 Mitre Engenuity 的半導(dǎo)體聯(lián)盟,目的是增強(qiáng)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的彈性。建立一個(gè)更強(qiáng)大的美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè),在美國(guó)培育先進(jìn)的制造業(yè),并在全球競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

數(shù)字存儲(chǔ)器的價(jià)格將呈現(xiàn)上升趨勢(shì),與過(guò)去的周期性形成鮮明對(duì)比。數(shù)字存儲(chǔ)器已經(jīng)成為我們以數(shù)據(jù)為中心的生活的支柱——無(wú)論是我們的5G手機(jī)還是云中采用的人工智能,所有額外的數(shù)據(jù)都需要存儲(chǔ)在數(shù)字存儲(chǔ)器上(NAND或非易失性閃存),然后進(jìn)行處理(DRAM或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。簡(jiǎn)而言之,數(shù)字存儲(chǔ)器在消費(fèi)者和企業(yè)的生活中扮演著越來(lái)越重要的角色。數(shù)字存儲(chǔ)器的供應(yīng)已經(jīng)從無(wú)數(shù)努力跟上快速變化的技術(shù)格局的玩家,整合到一個(gè)紀(jì)律嚴(yán)明的供應(yīng)商寡頭壟斷的局面,這些供應(yīng)商渴望從當(dāng)今制造DRAM/NAND所需的巨額資本支出中獲得可觀的回報(bào)。DRAM/NAND的成本結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)比投入成本更依賴于制造效率。美光對(duì)其成本基礎(chǔ)的控制比其他消費(fèi)品公司更強(qiáng),后者面臨著無(wú)數(shù)的原材料投入。與卡夫亨氏(Kraft Heinz)或麥當(dāng)勞等可能因各種原材料價(jià)格上漲而面臨利潤(rùn)壓縮的公司相比,這使得美光維持/提高利潤(rùn)的運(yùn)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)要小得多。美光的評(píng)級(jí)(EV/EBITDA比率)異常低,尤其是考慮到其未來(lái)的收益狀況。在市場(chǎng)評(píng)級(jí)下調(diào)的情況下,這都會(huì)為美光投資者帶來(lái)出色的風(fēng)險(xiǎn)回報(bào)主張。

2022 財(cái)年第二財(cái)季,美光科技收入為 78 億美元,較上年同期增長(zhǎng) 25%,高于該公司 75 億美元的目標(biāo)。GAAP 下凈利潤(rùn) 22.6 億美元,或每股攤薄收益 2.00 美元;Non- GAAP 下凈利潤(rùn)為 24.4 億美元,或每股攤薄收益 2.14 美元,高于上年同期的 98 美分,也高于公司預(yù)估的 1.95 美元。GAAP 下,該公司每股收益為 2 美元,高于上年同期的 53 美分。Non- GAAP 下,毛利率從第一財(cái)季的 47% 和 2020 年同期的 32.9% 上升至 47.8%。第二財(cái)季,DRAM 收入較上年同期增長(zhǎng) 29%,占總收入的 73%。NAND 閃存的收入增長(zhǎng)了 19%。第二財(cái)季 DRAM 的平均售價(jià)環(huán)比下降了 5% 左右,而 NAND 的平均售價(jià)則上升了 5% 左右。與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序相關(guān)的收入在本季度增長(zhǎng)了 60% 以上,而個(gè)人電腦需求也隨著企業(yè)電腦銷(xiāo)量的增長(zhǎng)而有所改善。美光科技表示,在汽車(chē)零部件領(lǐng)域的收入創(chuàng)下了紀(jì)錄,而工業(yè)領(lǐng)域的收入增長(zhǎng)了約 60%。

美光補(bǔ)充稱,該公司在本財(cái)年 “有望實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的收入和強(qiáng)勁的盈利”,在本財(cái)年下半年 “將實(shí)現(xiàn)出貨量增長(zhǎng)強(qiáng)勁”。該公司預(yù)計(jì),2022 年 DRAM 的位元成長(zhǎng)率將在 15% 至 15% 之間,NAND 內(nèi)存的位元成長(zhǎng)率需求約為 30%。

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