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[導(dǎo)讀]宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2071),為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。

全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強型氮化鎵(eGaN®)功率場效應(yīng)晶體管和集成電路,最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ 的EPC2071氮化鎵場效應(yīng)晶體管,為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。

EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件,包括用于新型服務(wù)器和人工智能的48 V~54 V輸入DC/DC轉(zhuǎn)換器。較低的柵極電荷、QGD和零反向恢復(fù)損耗使其能夠在10.2 mm2微小尺寸內(nèi),在1 MHz及以上的高頻條件下工作,實現(xiàn)高效和高功率密度。

EPC2071也是BLDC電機驅(qū)動的理想器件,包括電動自行車、電動摩托車、機器人、無人機和電動工具。EPC2071的尺寸是硅MOSFET的1/3,具有相同的導(dǎo)通電阻,QG是MOSFET的1/4,死區(qū)時間可以從500 ns縮減至20 ns,從而優(yōu)化電機和逆變器的效率且減少噪音。

EPC2071的設(shè)計與EPC第4代產(chǎn)品系列兼容,包括EPC2021、EPC2022和EPC2206。第五代產(chǎn)品在面積×導(dǎo)通電阻方面的改進使EPC2071具有與上一代產(chǎn)品相同的導(dǎo)通電阻,但尺寸卻縮小了26%。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow說:"EPC2071是40 V~60 V/12 V~5V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器初級側(cè)的理想開關(guān)器件。這個100 V的器件與上一代100 V的氮化鎵場效應(yīng)晶體管相比,性能更高且成本更低,讓設(shè)計人員以低成本實現(xiàn)更高的效率和更高的功率密度。這個器件也適用于電信、服務(wù)器電源供電和太陽能應(yīng)用。此外,EPC2071比等效硅器件的價格更低,而且可以立即發(fā)貨!"

EPC9174參考設(shè)計板是一個1.2kW、48 V輸入、12V輸出的LLC轉(zhuǎn)換器。它采用EPC2071作為初級側(cè)全橋器件,在22.9 mm x 58.4 mm x 10 mm的小尺寸內(nèi),實現(xiàn)1 MHz的開關(guān)頻率和1.2 kW的功率(功率密度為1472 W/in3)。550 W時的峰值效率為97.3%,12 V時的滿載效率為96.3%,可提供100 A輸出功率。

EPC2071用卷帶包裝,以1000片為單位批量購買,每片價格為3.81美元。EPC9174開發(fā)板的單價為498美元。

有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設(shè)計人員可使用 EPC GaN Power Bench 的交叉參考工具,根據(jù)您所需的特定工作條件,我們會推薦合適的替代方案。交叉參考工具可在以下網(wǎng)頁找到:交叉參考搜索 (epc-co.com)。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是基于增強型氮化鎵(eGaN®)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商,氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(LiDAR)、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器,以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外,宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。

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