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[導讀]芯片制造企業(yè)中,臺積電的技術最為先進,根據(jù)臺積電發(fā)布的消息可知,其計劃今年下半年量產(chǎn)3nm芯片,2023年量產(chǎn)N4X工藝的芯片,2024年量產(chǎn)2nm芯片。由于全球缺芯,再加上臺積電芯片制造技術先進,其近年來的可以說是高速增長。

芯片制造企業(yè)中,臺積電的技術最為先進,根據(jù)臺積電發(fā)布的消息可知,其計劃今年下半年量產(chǎn)3nm芯片,2023年量產(chǎn)N4X工藝的芯片,2024年量產(chǎn)2nm芯片。由于全球缺芯,再加上臺積電芯片制造技術先進,其近年來的可以說是高速增長。在這樣的情況下,英特爾也宣布進入晶圓代工領域內,并表示將會在2025年前量產(chǎn)20A工藝的芯片。

要知道,英特爾目前還不能自主量產(chǎn)7nm制程的芯片,卻要在3年后量產(chǎn)20A工藝的芯片,這著實讓外界吃了一驚。然而,就在近日,英特爾方面再次官宣2nm芯片,并表示將會在2024年實現(xiàn)量產(chǎn),有望趕在臺積電前面量產(chǎn)2nm芯片,目的就是重回芯片制造領域內的巔峰。據(jù)了解,英特爾為了快速發(fā)展芯片制造技術,其已經(jīng)與IBM合作,后者在之前已經(jīng)發(fā)布了全球首個2nm芯片制造技術。

由于IBM自身不生產(chǎn)制造芯片,很大可能會交給英特爾。另外,英特爾為了提升芯片制造技術等,ASML的光刻機的優(yōu)先供貨,并獲得升級版的EUV光刻機,其NA值為0.55,也是全球首臺交付的升級版EUV光刻機。然而,就在近日,英特爾方面再次官宣2nm芯片,并表示將會在2024年實現(xiàn)量產(chǎn),有望趕在臺積電前面量產(chǎn)2nm芯片,目的就是重回芯片制造領域內的巔峰。

據(jù)了解,英特爾為了快速發(fā)展芯片制造技術,其已經(jīng)與IBM合作,后者在之前已經(jīng)發(fā)布了全球首個2nm芯片制造技術。由于IBM自身不生產(chǎn)制造芯片,很大可能會交給英特爾。另外,英特爾為了提升芯片制造技術等,ASML的光刻機的優(yōu)先供貨,并獲得升級版的EUV光刻機,其NA值為0.55,也是全球首臺交付的升級版EUV光刻機。

但臺積電接收英特爾芯片訂單采用的是預收款的形式,其它廠商的訂單都是先生產(chǎn)后交錢,英特爾的芯片訂單是先付款,后生產(chǎn)。臺積電這么做一方面是因為英特爾芯片訂單不想排隊等待,另外一方面的是臺積電也明白英特爾的訂單不會長久,防范著英特爾。其次,臺積電美國工廠投產(chǎn)時間或延遲。據(jù)悉,臺積電在美建設5nm芯片生產(chǎn)線,預計在2024年投產(chǎn)。

對于芯片技術的向前推動,很多國際頭部公司也一直在未知的道路上疾馳,英特爾CEO基辛格最近透露了2nm芯片的量產(chǎn)時間。

基辛格表示2nm量產(chǎn)時間大約為2024年,這個量產(chǎn)時間早于臺積電,與此同時還要搶攻汽車芯片代工。

產(chǎn)業(yè)分析師此前表示,英特爾希望在納米世代結束前對臺積電實現(xiàn)趕超,可先進的制程技術牽涉的是整體供應鏈生態(tài)系、制造能力、良率和商業(yè)技術。

英特爾先進制程接單生產(chǎn)情況被業(yè)界認為,這個將對臺積電短中期(約二年至三年)影響不大,因為臺積電在該領域的影響力有目共睹。臺積電在多方面始終居于優(yōu)勢。

不過業(yè)內也會在2024年觀察英特爾4nm與更先進制程實際量產(chǎn)的良率情況,也要考察收購8寸廠產(chǎn)生的協(xié)同效應。

Statista研究庫數(shù)據(jù)顯示,預計2021年英特爾是臺積電的第六大客戶,這是因為臺積電源自英特爾相關營收占比約7.2%。

隨著臺積電技術研討會將于下個月舉行,無晶圓半導體生態(tài)系統(tǒng)內部令人興奮不已。臺積電不僅會提供N3 的更新,我們還應該聽到即將到來的 N2 工藝的詳細信息。

希望臺積電將再次分享其最新工藝節(jié)點確認的流片數(shù)量。鑒于我在生態(tài)系統(tǒng)中聽到的消息,N3 的流片數(shù)量將創(chuàng)下歷史新高。英特爾不僅加入了臺積電的多產(chǎn)品大批量 N3 生產(chǎn),據(jù)報道,高通和英偉達也將使用 N3 來生產(chǎn)其領先的 SoC 和 GPU。事實上,列出不會使用臺積電進行 3nm 的公司會更容易,但目前我還不知道。很明顯,臺積電絕對以非常大的優(yōu)勢贏得了FinFET 之戰(zhàn)。

“臺積電 2021 年最突出的消息是成功吸引了更多來自英特爾的新業(yè)務,同時能夠與 AMD、高通和蘋果等現(xiàn)有客戶保持良好的關系。隨著其 3 納米 N3 將于 2022 年晚些時候進入量產(chǎn)并具有良好的良率,并且 2 納米 N2 開發(fā)有望在 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn),臺積電有望繼續(xù)保持其技術領先地位,以支持其客戶創(chuàng)新和增長。由于對尖端技術的需求,臺積電的代工領導地位近年來似乎變得更加具體?!?

Gartner 分析師 SamuelWang 表示。

SemiWiki 報道了過去 11 年的臺積電活動,今年我們也將有博主參加。這是臺積電客戶、合作伙伴和供應商的頭號交流活動,因此我可以向您保證,會有很多東西要寫。

以下是臺積電技術開發(fā)的最新更新:

臺積電的 3nm 技術開發(fā)進展順利,已開發(fā)出完整的 HPC 和智能手機應用平臺支持。臺積電 N3 將于 2022 年下半年進入量產(chǎn)階段,良率良好。

臺積電 N3E 將進一步擴展其 3nm 系列,以增強性能、功率和良率。公司還觀察到 N3E 的客戶參與度很高,N3E 的量產(chǎn)計劃在 N3 之后一年。

面對大幅提升半導體計算能力的持續(xù)挑戰(zhàn),臺積電專注于研發(fā)工作,通過提供領先的技術和設計解決方案,為客戶的產(chǎn)品成功做出貢獻。2021年,公司開始風險生產(chǎn)3nm技術,這是利用3D晶體管的第6代 平臺,同時繼續(xù)開發(fā)當今半導體行業(yè)的領先技術2nm。此外,公司的研究工作推進了對2nm以上節(jié)點的探索性研究。臺積電 2nm 技術已于 2021 年進入技術開發(fā)階段,開發(fā)有望在 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

臺積電還在 2021 年 10 月推出了 N4P 工藝,這是 5nm 技術平臺的以性能為中心的增強。N4P 的性能比原始 N5 技術提高11%,比 N4 提高 6%。與 N5 相比,N4P 還將提供 22% 的功率效率提升以及 6% 的晶體管密度提升。

臺積電于 2021 年底推出了 N4X 工藝技術,與 N5 相比,性能提升高達 15%,或在1.2 伏時比更快的 N4P 提升高達 4%。N4X 可以實現(xiàn)超過 1.2 伏的驅動電壓并提供額外的性能。臺積電預計 N4X 將在 2023 年上半年進入風險生產(chǎn)階段。憑借 N5、N4X、N4P 和 N3/N3E,臺積電客戶將在其產(chǎn)品的功率、性能、面積和成本方面擁有多種極具吸引力的選擇。

在筆者看來,這將是更令人興奮的臺積電技術研討會之一。臺積電 N2 一直處于 NDA 之下,而 IDM 代工廠一直在泄露他們即將推出的 2nm 工藝的細節(jié)。這是一個經(jīng)典的營銷舉措,今天沒有競品,明天再說。

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