芯片的發(fā)展越來越迅速，先進制程芯片量產的速度也是越來越快，從28納米，就這么幾年的時間，如今已經成功挺進到4納米。這意味著什么?意味著芯片先進制程已經即將就要接觸到摩爾定律的極限了。

芯片的發(fā)展越來越迅速，先進制程芯片量產的速度也是越來越快，從28納米，就這么幾年的時間，如今已經成功挺進到4納米。這意味著什么?意味著芯片先進制程已經即將就要接觸到摩爾定律的極限了。

根據(jù)韓國媒體報道，三星今年準備在韓國平澤市開工建設3納米晶圓廠，目前預計可能會在6月份還7月份動工，并且還準備一并將相應的設備落實到位。在3納米芯片的制程工藝上，三星大有破釜沉舟的樣子。

我國的臺積電也確實有向3納米芯片進軍，但是，目前臺積電使用的可是比較傳統(tǒng)的FinFET工藝。而三星偏不，三星這次準備用什么呢?準備使用新工藝，準備成為第一個吃螃蟹的人。這個新工藝就是GAA晶體管工藝。

據(jù)報道，三星本周將向美國總統(tǒng)拜登展示其下一代3納米芯片技術，這種3納米GAA工藝有望很快開始量產。美國總統(tǒng)拜登將在本周向訪問三星平澤園區(qū)。

三星可能旨在說服拜登，讓美國公司向其3納米GAA工藝下訂單。據(jù)報道，美國總統(tǒng)拜登將抵達首爾進行為期三天的訪問，據(jù)韓聯(lián)社報道，這次訪問將包括參觀三星的平澤工廠，該工廠也是世界上最大的芯片代工工廠，位于首爾以南約70公里處。除拜登外，據(jù)說三星副董事長李在镕也將陪同他參觀，以展示下一代大規(guī)模生產過程。

成為拜登韓國訪問首站的三星平澤工廠，是世界上最大的半導體工廠群。整個平澤園區(qū)面積298萬平方米，相當于400個足球場大小。其中平澤2號半導體工廠總建筑面積12.89萬平方米，相當于16個足球場大小。

而三星正在建設的平澤3號工廠，占地70萬平方米，是2號工廠的 1.7 倍，建成后將成為全球單體最大的晶圓廠，單單這間工廠的投資額在240-400億美元。

據(jù)韓聯(lián)社報道，在訪問三星平澤工廠期間，三星副會長李在镕親自率隊陪同。三星電子將會向拜登展示其尖端的半導體制造技術——商用環(huán)繞式柵極(Gate-All-Around，GAA)技術。

此技術號稱可在5納米節(jié)點提供超越現(xiàn)有FinFET工藝的晶體管密度，而FinFET是臺積電在3納米工藝上采用的技術。三星公司此前預計，基于GAA技術下設計的新一代3納米半導體將在未來幾個月后大規(guī)模量產。

此外，以GAA技術為基礎，三星還將開發(fā)出第二代GAA技術，即3GAP(Gate-All-Around Plus)，預計于2023年開始量產。

代工能力之爭

據(jù)三星電子的一位相關人員表示，“三星向拜登展示3nm芯片的舉動，意在強調其代工能力可以超過臺積電(TSMC)”。

臺積電是中國臺灣地區(qū)的一家全球知名半導體芯片制造商，業(yè)內稱之全球芯片“代工之王”。作為全球第二大芯片代工廠的三星與臺積電一直處于激烈競爭中，雙方都希望能通過率先將3納米芯片推向大眾市場，從而戰(zhàn)勝對手。

據(jù)三星此前介紹，與現(xiàn)階段市場上使用的5納米芯片制程相比，GAA技術允許芯片的尺寸縮小35%，同時性能提高30%、能耗降低50%。

三星還補充道，其2納米的制程節(jié)點尚處于開發(fā)的早期階段，計劃將于2025年大規(guī)模生產。

行業(yè)跟蹤機構TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度，臺積電占據(jù)了全球代工市場的52.1%，三星以18.3%緊隨其后。

幾個月來，據(jù)報道，三星將開始大規(guī)模生產其3納米Gate-All-Around(GAA)技術，超過其4納米節(jié)點，該節(jié)點用于大規(guī)模生產高通的驍龍8代。 三星將向拜登展示一款3納米的芯片，以強調其代工能力超過臺灣的臺積電。

與三星的5納米工藝相比，3納米GAA的優(yōu)勢是巨大的，該公司表示，它可以使尺寸減少多達35%，同時提供30%的性能和50%的功率節(jié)省。這種3納米GAA工藝很可能是為了對付臺積電的3納米節(jié)點，長期以來，這家臺灣制造商一直是全球代工市場上的主導廠商。

根據(jù)TrendForce提出的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，臺積電在2021年第四季度占據(jù)了全球代工市場的52.1%，而排在第二位的三星在同一時期僅有18.3%的市場份額，嚴重落后。此前的一份報告提到，這家韓國制造商在其3納米GAA工藝上陷入困境，因為據(jù)說良品率比其4納米技術更差。

如果三星無法提高這些良率，同時也無法證明其3納米GAA工藝可以與臺積電的3納米晶圓相媲美，它可能無法獲得高通等公司的訂單。預計三星將很快讓其先進的芯片技術大規(guī)模投產，因此我們將看到它在與臺積電的競爭中的表現(xiàn)。

臺積電沒想到，張忠謀最擔心的情況還是發(fā)生了!在芯片制造領域臺積電一直以來都憑借著先進的技術工藝，遙遙領先于同行，但臺積電沒想到的是，全球首個3納米芯片竟然會出自他家之手，并且還采用了3GAE工藝技術，三星的這一工藝的出世，或將打破臺積電的優(yōu)勢。

據(jù)外媒Tom‘s hardware機構消息顯示，三星有望在本季度(未來幾周)開始制造并量產全新的3GAE工藝芯片，這也意味著三星或將成為全球首個采用晶體管的半導體芯片企業(yè)。

三星還表示，3GAE工藝技術生產的芯片將有效降低50%的功耗，同時提升30%的性能，晶體管的密度也提高了80%，不過這些參數(shù)聽聽就行，3GAE工藝生產的芯片實力究竟如何讓，最終還是消費者和數(shù)據(jù)說了算。

讓臺積電更加郁悶的是，由臺積電4納米工藝生產的天璣9000芯片也被指出發(fā)熱量大、功耗過高的問題，因為目前臺積電采用了FinFET架構，這類型的架構在制造高制程工藝時，本身就要面臨較多的問題，比如之前提到的發(fā)熱亮大，功耗高問題，這也是因為FinFET晶體管架構的影響，因為，隨著芯片面積的縮小，芯片內部的溝道長度也隨之變窄，使得柵極對溝道的控制力變差。然而三星則采用了GAA結構，三星在這一方面也存在足夠的優(yōu)勢。

此外，還有業(yè)內人士認為，GAA結構晶體管工藝，有望使得芯片尺寸在原有的基礎上，再次降低25%，目前，臺積電還長時間停留在FinFET結構上，除此之外，臺積電為了應對FinFET結構的劣勢，也只能退而求次。

三星周四表示，它有望在本季度(即未來幾周)開始使用其3GAE(早期3nm級柵極全能)制造工藝進行大批量生產。這一宣布不僅標志著業(yè)界首個3納米級的制造技術開始量產，而且也是第一個使用柵極全包圍場效應晶體管(GAAFET)的節(jié)點。

三星大約在三年前正式推出其3GAE和3GAP節(jié)點。當該公司描述其使用3GAE技術生產的256Mb GAAFET SRAM芯片時，三星表示，該工藝將使性能提高30%，功耗降低50%，晶體管密度提高80%。不過，對三星來說，性能和功耗的實際組合將如何發(fā)揮，還有待觀察。

「這是世界上首次大規(guī)模生產的GAA3納米工藝，將以此提高技術領先地位?！?a href="/tags/三星" target="_blank">三星在一份聲明中寫道。