最近可能遇到了“GaN”，它正在一些關鍵的功率轉(zhuǎn)換應用中取代硅 (Si)。在本博客系列“如何使用 GaN 進行設計”中，我將了解氮化鎵 (GaN) 與 Si 的不同之處，以及使用 GaN 創(chuàng)建電源設計時的關鍵考慮因素。

在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。

對于新技術而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(硅)成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。

GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率(3.4eV對比1.1eV)，這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注意的是，GaN的門極電荷(QG)較低，并且由于必須在每個開關周期內(nèi)對其進行補充，因此GaN能夠以高達1 MHz的頻率工作，效率不會降低，而硅則難以達到100 kHz以上。此外，與硅不同，GaN沒有體二極管，其在AlGaN / GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導電流(稱為“第三象限”操作)。因此，GaN沒有反向恢復電荷(QRR)，使其非常適合硬開關應用。

不久前，我開始研究LMG5200的定義和評估，這是一款集成驅(qū)動器的 GaN 半橋場效應晶體管 (FET)。

LMG5200器件集成了 80V、10A驅(qū)動器和GaN半橋功率級，采用增強模式氮化鎵(GaN)FET提供了一套集成功率級解決方案。該器件包含兩個80V GaN FET，它們由采用半橋配罝的同一高頻GaN FET驅(qū)動器提供驅(qū)動。

GaN FET在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢顯著，因為其反向恢復電荷幾乎為零，輸入電容Ciss也非常小。所有器件 均安裝在一個充全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數(shù)。LMG5200器件采用6mm x 8mm x 2mm無鉛封裝，可輕松安裝在PCB上。該器件的輸入與TTL邏輯兼容，無論VCC電壓如 何，都能夠承受高達12V的輸入電壓6專有的自舉電 壓鉗位技術確保了增強模式GaN FET的柵極電壓處于安全的工作范圍內(nèi)。

該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了 分立式GaN FET的優(yōu)勢6對于具有高頻、高效操作及小尺寸要求的應用而言，該器件堪稱理想的解決方案。與TPS53632G控制器搭配使用時，LMG5200能 夠直接將48V電壓轉(zhuǎn)換為負載點電壓(0.5-1.5V)。

它的優(yōu)點是什么?更高的效率、更小的外形尺寸、新的應用——不勝枚舉。在我使用這款新設備的第一天，我意識到我們正在處理一些完全開箱即用的東西。這種材料速度如此之快，以至于設計電源板的舊技術需要徹底重新審視，一種回到白板的方法。

很明顯，要從該設備中獲得最佳性能，我不能簡單地用LMG5200替換硅半橋。我必須優(yōu)化電源回路，以確保整個電源回路的電感在 400pH 左右或更低。這意味著使用電感消除技術，確保返回路徑直接位于下方并盡可能靠近，除了總線的大容量電容器外，還使用低電感的去耦電容器。

低功率回路電感最大限度地減少了開關節(jié)點中的過沖和振鈴量。這有助于提高效率，也避免了違反設備絕對最大額定值的任何機會。

這份關于布局技術的應用筆記深入探討了如何優(yōu)化電源環(huán)路布局的細節(jié)。

測量 GaN 器件的性能也需要特殊考慮。我必須使探頭接地盡可能靠近開關節(jié)點，。

為了最大限度地發(fā)揮具有LMG5200等集成驅(qū)動器的 GaN 半橋的優(yōu)勢，務必特別注意功率環(huán)路電感以獲得最高性能。