當(dāng)?shù)貢r間6月16日，晶圓代工巨頭臺積電在北美召開了2022年臺積電技術(shù)研討會。不僅公布了臺積電下一代的2nm制程技術(shù)的部分細節(jié)信息，同時還透露，通過在中國臺灣、中國大陸和日本建設(shè)新晶圓廠或擴產(chǎn)，預(yù)計到2025年，臺積電的成熟制程的產(chǎn)能將擴大約50%。

當(dāng)?shù)貢r間6月16日，晶圓代工巨頭臺積電在北美召開了2022年臺積電技術(shù)研討會。不僅公布了臺積電下一代的2nm制程技術(shù)的部分細節(jié)信息，同時還透露，通過在中國臺灣、中國大陸和日本建設(shè)新晶圓廠或擴產(chǎn)，預(yù)計到2025年，臺積電的成熟制程的產(chǎn)能將擴大約50%。

臺積電2nm工藝細節(jié)曝光：功耗降低30%，2025年量產(chǎn)在此次2022年臺積電技術(shù)論壇上，臺積電首度公布了其下一代先進制程N2(即2nm制程)的部分技術(shù)指標(biāo)：相較于其N3E(3nm的低成本版)工藝，在相同功耗下，臺積電2nm工藝的性能將提升10~15%;而在相同性能下，臺積電2nm工藝的功耗將降低23~30%;晶體管密度僅提升了10%。

需要指出的是，臺積電N3E制程的晶體密度似乎要比N3(3nm)減少約8%，但仍比臺積電N5(5nm)提升了30%，其優(yōu)勢在于，相比N3減少了4層EUV 光罩，使N3e將成為臺積電更具成本及生產(chǎn)效率優(yōu)勢的重要節(jié)點。這也是為什么，臺積電N2相比N3E所帶來的性能的提升幅度和功耗降低的幅度，均低于N3E相比N5的提升。在晶體管架構(gòu)方面，臺積電N2終于拋棄了FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)，采用了全新的納米片晶體管架構(gòu)(Nanosheet)，即臺積電版的GAAFET(環(huán)繞柵極晶體管)。

6月17日，臺積電研發(fā)資深副總經(jīng)理米玉杰在臺積電硅谷技術(shù)研討會上表示，公司將在2024年引進ASML高數(shù)值孔徑極紫外光(high-NA EUV)光刻機，以開發(fā)客戶所需的相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和圖案化解決方案。不過，米玉杰在發(fā)布會上沒有透露，臺積電在購入該設(shè)備之后，何時會在制程研發(fā)中使用。

高數(shù)值孔徑EUV光刻機是第二代EUV光刻工具，更高數(shù)值的孔徑意味著更小的光線入射角度，也意味著能夠用來制造尺寸更小、速度更快的芯片。高數(shù)值孔徑EUV是當(dāng)前最先進的EUV光刻機，目前只有ASML能夠生產(chǎn)。盡管臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強稱，臺積電2024年還不準(zhǔn)備運用新的高數(shù)值孔徑EUV工具生產(chǎn)，引進的光刻機將主要用于與合作伙伴的研究，但臺積電此次成功引進最先進的光刻機，無疑將進一步鞏固自身在先進制程研發(fā)方面的領(lǐng)先地位。

作為制造芯片最先進的設(shè)備，光刻機的先進程度直接決定了芯片的制程工藝。ASML發(fā)言人稱，更高的光刻分辨率將允許芯片縮小170%，同時密度增加2.9倍。未來比3納米更先進的工藝將極度依賴高NA EUV光刻機。正是因為只有ASML才能生產(chǎn)EUV光刻機，ASML的利潤較為可觀。此前，ASML發(fā)布2021財年最新財報稱，公司2021年凈銷售額為186億歐元，同比增長35%;凈利潤59億歐元，同比增長63.9%。此次臺積電從ASML公司引進這一最先進的光刻機，將對臺積電在先進制程的研發(fā)產(chǎn)生較大幫助。

臺積電能夠成長為全球芯片制造技術(shù)最先進、芯片代工市場份額最高的晶圓企業(yè)，肯定也不一般，也是從激烈競爭中沖出來的，并且也一直面臨著其他企業(yè)的追趕。之前臺積電領(lǐng)先的各方面跨度較大，一直以來非常淡定。然而，如今盡管在芯片代工產(chǎn)能上優(yōu)勢很大，但在制造技術(shù)上開始面臨激烈挑戰(zhàn)，錯失一步都難以再領(lǐng)先。不過，臺積電也早有準(zhǔn)備，已在多方面進行了布局，最大程度的保障領(lǐng)先的地位。在建廠上。

臺積電剛在中國臺灣建成四座新晶圓廠，又宣布再建四座晶圓廠，都是為了生產(chǎn)3 nm級高端芯片，8個新晶圓廠每個耗資都在100億美元左右。盡管臺積電在美、日建廠，但先進芯片廠依然在本土，外媒表示這相當(dāng)于承認了。還有三星去爭取EUV，臺積電也不擔(dān)心。因為目前ASML出貨的143臺EUV，臺積電已獲一半左右，基數(shù)非常大。并且如今EUV產(chǎn)能開始放緩，一季度共出貨3臺。