韓國三星電子周四宣布，公司已經開始大規(guī)模生產3納米芯片，是全球首家量產3納米芯片的公司。

三星在官方聲明中表示，公司已經開始在其位于韓國的華城工廠大規(guī)模生產3納米半導體芯片。與前幾代使用FinFET的芯片不同，3納米芯片采用了新的 GAA(Gate All Around)晶體管架構，該架構大大改善了功率效率。與傳統(tǒng)的5納米芯片相比，第一代3納米芯片工藝可以降低45%的功耗，提高23%的性能，并減少16% 的面積。而第二代3納米芯片工藝則可以降低50%的功耗，提高30%的性能，面積減少35%。

雖然三星沒有透露其最新代工技術的客戶身份，但市場預計，三星本身和中國芯片設計公司上海磐矽半導體將是3納米芯片的首批客戶。

三星3納米芯片量產使得其生產進度略快于同行。在同業(yè)競爭方面，臺積電和英特爾分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規(guī)模生產3納米芯片。

雖然三星是全球第一個生產3納米芯片的公司，但臺積電正計劃在2025年實現2納米芯片的全球首個批量生產。

在本月初的股東會上，臺積電董事長劉德音才強調，臺積電的先進制程的進展都按照計劃發(fā)展中，預計2022下半年將量產3納米芯片。與三星不同的是，臺積電將仍采較為成熟的FinFET(Fin Field Effect Transistor，FinFET)工藝。一直到2025年量產2納米時，才會采用GAA技術。

在市場份額方面，臺積電依然牢牢保持的全球市場第一的寶座。根據TrendForce 的數據，目前臺積電控制著全球54%的芯片合同生產市場，三星以16.3%的市場份額排名第二。

三星在一份聲明中表示，與傳統(tǒng)的5納米芯片相比，新開發(fā)的第一代3納米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，并減少16%的面積。

不過，這家韓國公司并沒有透露其最新代工技術的客戶，分析人士認為，三星本身和相關中國企業(yè)預計將成為首批客戶。

今年早些時候，三星聯合首席執(zhí)行官Kyung Kye hyun曾表示，其代工業(yè)務將在中國尋找新客戶，因為目前從汽車制造商到家電產品制造商的公司都急于確保產能，以解決全球芯片持續(xù)短缺的問題，該公司預計中國市場將出現高增長。

據了解，目前臺積電仍然是全球最先進的代工芯片制造商，控制著全球芯片代工市場約54%的份額，主要客戶包括蘋果和高通等。而據數據提供商TrendForce的數據顯示，三星電子以16.3%的市場份額排名第二，遙遙領先于其他對手。該公司還曾于去年宣布了一項171萬億韓元(約合1320億美元)的投資計劃，期望到2030年超越臺積電，成為全球最大的邏輯芯片制造商。

“我們將在有競爭力的技術開發(fā)方面繼續(xù)積極創(chuàng)新，”三星公司代工業(yè)務主管Siyoung Choi評論道。

雖然三星電子是全球首家量產3納米芯片的公司，但根據臺積電的計劃，該公司將在2025年量產2納米芯片。

分析師對此表示，三星是內存芯片市場的領頭羊，但在更加多樣化的代工業(yè)務上，三星已經被領先者臺積電超越，這使得三星很難與之競爭。

Daol Investment & Securities分析師Kim Yang-jae表示，相對于內存芯片，非內存芯片代工業(yè)務是不同的，種類也太多了。目前，內存芯片只有兩種類型——DRAM和NAND閃存，三星可以專注于這一業(yè)務，提高效率并大量生產，但該公司不能在一千種不同的非內存芯片上做到同樣的效果。

另外，還有分析人士認為，在過去一年左右的時間里，舊芯片業(yè)務的收益率低于預期，也阻礙了三星與臺積電的競爭。不過，該公司在今年3月份表示，其運營狀況已逐步改善。

韓聯社30日報道稱，與前幾代使用鰭式場效應晶體管(FinFET)的芯片不同，第一代3納米工藝采用GAA晶體管技術，大幅提升了效能。與三星5納米工藝相比，第一代3納米工藝可使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。三星表示，將于明年投入的第二代3納米工藝可使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。

三星電子計劃將3納米制程工藝優(yōu)先應用于高性能計算(HPC)芯片，再擴大至移動系統(tǒng)芯片(SoC)等。此外，三星電子還計劃從2025年開始生產基于GAA的2納米芯片，力爭在先進芯片制造領域趕超臺積電(TSMC)。

據調研機構集邦咨詢(TrendForce)提供的數據，以今年第一季度為準，臺積電的全球市場份額以53.6%位居第一，三星電子以16.3%位居第二。據悉，臺積電計劃下半年起量產3納米芯片，再將GAA技術應用于其2納米工藝。

6月30日消息，三星方面在今日宣布，其公司位于韓國的華城工廠已經開始大規(guī)模生產3納米工藝芯片，三星將成為全球首家量產3nm技術產品的公司。

根據三星官方公布的信息，三星在3nm工藝上采用了全新的GAA(Gate All Around)晶體管架構，相比較于傳統(tǒng)的FinFET(鰭式場效應晶體管)架構有所不同。

三星方面表示，與傳統(tǒng)的 5 納米芯片相比，新開發(fā)的第一代 3 納米工藝可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并減少 16% 的面積。而目前三星官方尚未公布此3nm芯片的客戶。

臺積電方面則將在今年下半年啟動3nm工藝的大規(guī)模量產，仍將會采用FinFET(鰭式場效應晶體管)架構。

三星電子將在6月30日左右正式發(fā)布其3納米芯片量產消息。三星電子此前公布計劃，將在今年上半年量產基于全環(huán)繞柵極(GAA)技術的3納米制程產品，2023年推出第二代3納米產品，2025年量產2納米產品。

三星稱，與現有的FinFET工藝相比，GAA技術將使芯片面積減少45%，同時性能提高30%，功耗降低50%。

今年5月美國總統(tǒng)拜登訪韓時參觀了三星的平澤工廠，三星向其展示了該公司的3納米芯片。