關鍵優(yōu)勢：

隨著CPU內(nèi)核數(shù)量不斷增加，改進后的內(nèi)存架構(gòu)相比DDR4可將帶寬提高近一倍，進而提高效率

JEDEC速度提高至4800MT/s，比DDR4快1.5倍

得益于高達64GB的模組容量，能夠支持內(nèi)存密集型工作負載

DDR5的創(chuàng)新架構(gòu)改進和模組內(nèi)建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運行性能

2022年7月7日，上?！?內(nèi)存和存儲解決方案領先供應商Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，面向商業(yè)和工業(yè)渠道合作伙伴推出美光，以支持下一代英特爾®和AMD® DDR5服務器及工作站平臺的行業(yè)資格認證。相比DDR4 DRAM，DDR5內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高。美光全新DDR5服務器內(nèi)存能夠為人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和數(shù)據(jù)密集型應用提供DDR4技術所不具備的更高CPU計算能力與內(nèi)存帶寬，從而最大限度地提升這些應用的性能。

美光商用產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Teresa Kelley表示：“隨著數(shù)據(jù)量持續(xù)呈指數(shù)級增長，能否將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為洞察對業(yè)務成功至關重要。數(shù)據(jù)中心運營者需要借助先進的內(nèi)存能力與處理器技術的進步來最大限度地提高平臺性能。美光DDR5服務器DRAM可提供海量帶寬，助力管理最為內(nèi)存密集型的應用。美光始終走在DDR5內(nèi)存技術發(fā)展前沿，引領業(yè)界向DDR5內(nèi)存技術過渡，并致力于支持數(shù)據(jù)中心客戶和渠道合作伙伴完成服務器DDR5DRAM資格認證及準備工作?！?

作為全球內(nèi)存行業(yè)領導者，美光從一開始便與電子元件工業(yè)聯(lián)合會（JEDEC）聯(lián)手確立了DDR5規(guī)范，并通過——業(yè)界唯一的DDR5生態(tài)系統(tǒng)賦能計劃面向廣泛的市場領域推廣早期DDR5資格認證。目前，美光DDR5技術賦能計劃已經(jīng)吸引了來自全球160多家企業(yè)的400多位成員參與，旨在幫助合作伙伴簡化DDR5內(nèi)存設計并應對集成挑戰(zhàn)。所有美光服務器DDR5 DRAM均針對下一代產(chǎn)品系列進行了優(yōu)化，并通過了模組和顆粒測試，以達到關鍵任務型服務器標準。

目前，采用DDR5內(nèi)存模塊的服務器正在數(shù)據(jù)中心環(huán)境中接受評估和測試，預計將在2022年下半年加快采用速度。DDR5的初始數(shù)據(jù)傳輸速率為4800MT/s，預計后續(xù)還將進一步提高，以更好地滿足未來數(shù)據(jù)中心工作負載的需求?？蛻艏纯炭赏ㄟ^美光全球商業(yè)和工業(yè)渠道合作伙伴獲得美光DDR5服務器內(nèi)存產(chǎn)品。