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[導(dǎo)讀]臺灣臺北, July 14, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) -- 特種存儲和內(nèi)存解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)ATP Electronics推出新的3D三層單元(TLC)S750/S650系列SD和microSD內(nèi)存卡,它們專為最苛刻的不間斷視頻錄制要求而打造。這些內(nèi)存卡能滿足行車記錄儀、數(shù)字視頻錄像機(jī)(DVR)、監(jiān)控系統(tǒng)、自動駕駛汽車和其他密集寫入應(yīng)用的高耐久性、低延遲和持久數(shù)據(jù)存儲的需求。

臺灣臺北, July 14, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) -- 特種存儲和內(nèi)存解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)ATP Electronics推出新的3D三層單元(TLC)S750/S650系列SD和microSD內(nèi)存卡,它們專為最苛刻的不間斷視頻錄制要求而打造。這些內(nèi)存卡能滿足行車記錄儀、數(shù)字視頻錄像機(jī)(DVR)、監(jiān)控系統(tǒng)、自動駕駛汽車和其他密集寫入應(yīng)用的高耐久性、低延遲和持久數(shù)據(jù)存儲的需求。

高耐久性(超過10.9萬小時1的錄制時間),采用原生TLC模式

視頻證據(jù)在許多場景中都被證明極為重要;因此,SD/microSD卡要能不間斷錄制,并且不能影響圖像的質(zhì)量和完整性,這是非常重要的。S650系列可以連續(xù)錄制長達(dá)109401小時的全高清視頻,遠(yuǎn)長于被宣稱為“高耐久性”的同類卡。S650系列基于5K編程/擦除(P/E)周期,意味著比起典型3K P/E周期的內(nèi)存卡,其耐久性高1.6倍。配置為偽單層單元(pSLC)的S750系列基于60K P/E周期,而典型pSLC內(nèi)存卡額定為約20K至30K P/E周期。

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注釋:

1 在無其他影響因素的最佳/理想情況下,使用128 GB ATP S650 TLC卡,基于13 Mbps(高清錄制的最低比特率)進(jìn)行的測試。

2 由ATP從公開數(shù)據(jù)中獲得的信息。

為了錄制新數(shù)據(jù),舊數(shù)據(jù)將在卡滿時被覆蓋。

1Mbps=100萬bps

低延遲:錄制就緒時間<1秒,寫速度快50%

上電后,行車記錄儀要等幾秒鐘讓錄制就緒。主機(jī)發(fā)出的第一個讀命令與第一個寫命令之間的時間稱為“響應(yīng)時間”。根據(jù)室溫下DVR上的真實(shí)測試,ATP S650和S750系列卡的響應(yīng)時間少于1秒,而常規(guī)卡可能需要7至12秒。

在連續(xù)錄制16 MB數(shù)據(jù)時,ATP S650卡所花時間不到0.1秒,比消費(fèi)級卡節(jié)約50%的寫時間,并支持高速備份,不會丟失數(shù)據(jù)。

自有硬件/固件設(shè)計特性提供精確的可靠性

作為一家真正的制造商,ATP擁有自己的硬件/固件能力,可以按各種用途調(diào)整,滿足客戶特定的應(yīng)用要求和條件。ATP根據(jù)客戶的應(yīng)用,通過獨(dú)特的固件和硬件設(shè)計盡力滿足客戶的要求。

自動讀校準(zhǔn)(ARC)。隨著時間的推移和持續(xù)的使用,NAND閃存單元將退化,導(dǎo)致電壓漂移,從而增加誤碼率(BER)。當(dāng)正常的讀取重試功能不足以修復(fù)錯誤時,更精確的“自動讀取校準(zhǔn)”(ARC)功能就被用來在極端溫度或NAND單元退化的條件下確保數(shù)據(jù)完整性。

ATP的高級卡分析方法。 ATP內(nèi)存卡通過IP67/IP57認(rèn)證,使用系統(tǒng)級封裝(SiP)晶圓/裸片工藝制造,與表面貼裝技術(shù)(SMT)工藝相比,很難進(jìn)行組件分析。ATP獨(dú)特設(shè)計的基板和調(diào)試工具使這項任務(wù)“成為可能”。

ATP開發(fā)的硬件設(shè)計——基板擁有預(yù)留測試引腳,可用于以后的組件分析。

通過激光除去焊料掩?!ズ噶涎谀>_有效的方法,可以觸達(dá)基板上的預(yù)留測試引腳。

ATP自有的定制調(diào)試工具——連接到硬件預(yù)留測試引腳,然后鏈接到軟件分析系統(tǒng)。


規(guī)格參數(shù)

SD microSD
Product Line

Premium Superior Premium Superior
S750Pi S750Sc S650Si S650Sc S750Pi S750Sc S650Si S650Sc
Interface UHS-I UHS-I UHS-I UHS-I UHS-I UHS-I UHS-I UHS-I
Flash Type 3D pSLC 3D pSLC 3D TLC 3D TLC 3D pSLC 3D pSLC 3D TLC 3D TLC
Form Factor SD Card microSD Card
Operating Temperature -40°C to 85°C -25°C to 85°C -40°C to 85°C -25°C to 85°C -40°C to 85°C -25°C to 85°C -40°C to 85°C -25°C to 85°C
Power Loss Protection Options Firmware Based Firmware Based
Capacity 8GB to 32GB 8GB to 32GB 32 GB to 128 GB 32 GB to 128 GB 8GB to 64GB 8GB to 64GB 32 GB to 256 GB 32 GB to 256 GB
Performance
Sequential Read (MB/s) up to 99 99 96 96 99 99 96 96
Sequential Write (MB/s) up to 78 78 62 62 82 82 65 65
Endurance (TBW)1 up to 1920 1920 640 640 3840 3840 1280 1280
Reliability
MTBF @ 25°C
>2,000,000 hours >2,000,000 hours >2,000,000 hours >2,000,000 hours >2,000,000 hours >2,000,000 hours >2,000,000 hours >2,000,000 hours
Reliability
Number of Insertions
20,000 (SDA spec minimum 10,000) 20,000 (SDA spec minimum 10,000)
Others
Dimensions: L x W x H (mm) 32.0 x 24.0 x 2.1 32.0 x 24.0 x 2.1 32.0 x 24.0 x 2.1 32.0 x 24.0 x 2.1 15.0 x 11.0 x 1.0 15.0 x 11.0 x 1.0 15.0 x 11.0 x 1.0 15.0 x 11.0 x 1.0
Certifications CE, FCC, UKCA, RoHS CE, FCC, UKCA, RoHS CE, FCC, UKCA, RoHS CE, FCC, UKCA, RoHS CE, FCC, UKCA, RoHS CE, FCC, UKCA, RoHS CE, FCC, UKCA, RoHS CE, FCC, UKCA, RoHS
Warranty 5 years 2 years 3 years 3 years 5 years 2 years 3 years 3 years

1 Under highest Sequential write value. May vary by density, configuration and applications.

對于需要特定應(yīng)用功能或技術(shù)的客戶,ATP提供包括固件、硬件以及封裝和外觀(標(biāo)簽、印刷和標(biāo)志)的增值定制服務(wù)。

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