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[導(dǎo)讀]隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉(zhuǎn)向非傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料,尤其是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體,例如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等。因?yàn)閷拵恫牧暇哂邢鄬?duì)寬的帶隙(與常用的硅相比),所以寬帶隙器件可以在高電壓,高溫和高頻率下工作。寬帶隙器件可以提高能效和延長(zhǎng)電池壽命,這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。

隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉(zhuǎn)向非傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料,尤其是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體,例如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等。因?yàn)閷拵恫牧暇哂邢鄬?duì)寬的帶隙(與常用的硅相比),所以寬帶隙器件可以在高電壓,高溫和高頻率下工作。寬帶隙器件可以提高能效和延長(zhǎng)電池壽命,這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。

雖然氮化鎵和碳化硅的功率水平有一些重疊,但各自解決的功率需求是不同的。碳化硅器件提供高達(dá)1700V的電壓和高電流承載能力。這使得它們很適合于汽車和機(jī)車牽引逆變器、大功率太陽(yáng)能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應(yīng)用。碳化硅進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間略長(zhǎng),因此它有更多的選擇,例如,相比目前可用的氮化鎵解決方案,碳化硅支持更廣泛的電壓和導(dǎo)通電阻。

近年來(lái),諸如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 之類的寬帶隙功率器件已開(kāi)始商用。與高壓 (≥600V) 硅 FET 相比,GaN 和 SiC FET 通常具有更低的導(dǎo)通電阻 (R ds(on) )、更低的輸出電容 (C oss ) 和更少/沒(méi)有反向恢復(fù)電荷 (Q rr )。由于其較低的開(kāi)關(guān)損耗,我們可以大大提高具有寬帶隙功率器件的硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率。

與硅相比,寬帶隙材料的主要優(yōu)點(diǎn)包括:

· 較低的導(dǎo)通電阻

· 更高的擊穿電壓

· 更高的熱導(dǎo)率

· 在較高溫度下運(yùn)行

· 更高的可靠性

· 接近零的反向恢復(fù)時(shí)間

· 優(yōu)異的高頻性能

將 GaN FET 應(yīng)用于諧振轉(zhuǎn)換器可通過(guò)減少磁損耗來(lái)提高效率。讓我們以圖 1 所示的電感-電感-電容串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器 (LLC-SRC) 為例。LLC-SRC 使用存儲(chǔ)在諧振電感 (L r ) 中的能量對(duì)輸入開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)中的 MOSFET 輸出電容器進(jìn)行放電。如果在 MOSFET 柵極信號(hào)變高之前輸出電容電壓放電至零,則可以實(shí)現(xiàn)零導(dǎo)通損耗。

在 MOSFET 的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)期間,i Lr等于流過(guò) L m的最大電流,如公式 1 所示:


電流 I Lm(假設(shè)在死區(qū)時(shí)間保持不變)對(duì)一個(gè) MOSFET 的 C oss進(jìn)行放電并為另一個(gè) MOSFET 的 C oss充電。假設(shè)半橋的兩個(gè) MOSFET 的C oss相同,并且可以忽略變壓器的繞組間電容,公式 2 表示可以實(shí)現(xiàn)零開(kāi)通損耗的最大電感:


現(xiàn)在讓我們假設(shè)我們正在使用 LLC-SRC在相同的 400V IN到 12V OUT轉(zhuǎn)換規(guī)范上選擇 GaN FET 和硅 FET 。TI 的LMG3410 GaN 器件具有 70mΩ 的導(dǎo)通電阻和 95pF 的輸出電容(與能量相關(guān))。我發(fā)現(xiàn)一個(gè) 70mΩ 硅 FET 具有 140pF 的輸出電容。如果我們選擇的匝數(shù)比為 n = 16,并且 LLC-SRC 的目標(biāo)最大開(kāi)關(guān)頻率為 750kHz,則 L m,maxTI 的 LMG3410 為 134μH,帶有 140pF 輸出電容器的硅 FET 為 91μH。作為輸入開(kāi)關(guān),如果使用相同的內(nèi)核,帶有硅 FET 的 LLC-SRC 變壓器的氣隙將比帶有 LMG3410 的變壓器寬。由于氣隙較寬,變壓器導(dǎo)線上的渦流損耗會(huì)更大。

相同的 LLC-SRC 在相同的測(cè)試條件下具有不同變壓器氣隙的熱性能。如我們所見(jiàn),具有較寬氣隙的變壓器上的線損比具有較窄氣隙的變壓器高得多。因此,使用具有較低 C oss的 GaN 器件有助于降低諧振轉(zhuǎn)換器中的磁損耗。

雖然在這篇文章中中,我討論了在諧振轉(zhuǎn)換器上使用 GaN 器件的好處——更低的輸出電容,從而減少變壓器損耗——但 TI GaN 器件(例如 LMG3410)不僅提供低 R ds(on)和 C oss,而且還集成了多種保護(hù)功能,例如過(guò)流和過(guò)熱保護(hù)。通過(guò)所有這些保護(hù),轉(zhuǎn)換器的可靠性大大提高。


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