愛思開海力士·英特爾DMTM半導體(大連)有限公司非易失性存儲器項目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項目將建設一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領先的半導體供應商SK海力士已在中國市場深耕十余年。2020年，SK海力士宣布收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務，其中包括英特爾大連工廠。2021年，SK海力士順利完成第一階段交割。為加快推動項目發(fā)展，決定在大連繼續(xù)擴大投資并建設新工廠。

，國家市場監(jiān)督管理總局反壟斷局官網(wǎng)發(fā)布的公告顯示，國際市場監(jiān)管總局有條件的批準了SK海力士對于英特爾NAND閃存業(yè)務的收購。至此，SK海力士正式完成了對于英特爾NAND閃存業(yè)務的收購。

海力士半導體以超卓的技術和持續(xù)不斷的研究投資為基礎，每年都在開辟已步入納米級超微細技術領域的半導體技術的嶄新領域。另外，海力士半導體不僅標榜行業(yè)最高水平的投資效率，2006年更創(chuàng)下半導體行業(yè)世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現(xiàn)意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經(jīng)濟注入新鮮血液的發(fā)展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發(fā)展的相生經(jīng)營。海力士半導體為發(fā)展成為令顧客和股東滿意的先導企業(yè)，將盡心盡責，全力以赴。在韓國有4條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸生產(chǎn)線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產(chǎn)線。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處于第二位，中國市場占有率處于第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人.海力士(Hynix)半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客戶創(chuàng)造舒適的生活環(huán)境。海力士半導體致力生產(chǎn)以DRAM和NAND Flash為主的半導體產(chǎn)品。

樸正浩SK海力士副會長表示：“回顧過去的10年，公司在危機中因有展望未來的果斷投資，之所以成長為國際企業(yè)?，F(xiàn)在要應對未來的10年，M15X的開建將成為公司奠定未來成長基礎的第一步?！?

SK海力士在經(jīng)營環(huán)境劇變的情況下，通過先發(fā)制人的投資，將存儲器半導體市場的競爭力強化為全球最高水平。

在2012年，半導體產(chǎn)業(yè)的縮減投資趨勢下，公司不顧虧損狀態(tài)，比前一年大幅提升10%以上的投資，在當年年末成功扭虧為盈。此后，在市場不透明的情況下，SK海力士為了應對即將到來的存儲器半導體繁榮期，在2015年果斷做出建設利川M14的決定，最終從2017年開始兩年間創(chuàng)下了歷史最高業(yè)績。

二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，市場份額也由上一季度的35.3%，降至33%，但仍是全球第一大NAND廠商。

排名第二的是SK海力士，得益于對英特爾NAND閃存業(yè)務收購的完成(成立了Solidigm公司運營)，使得SK海力士在二季度的銷售額環(huán)比增長12.1%，達到了36.15億美元，市場份額也由18%增至19.9%，超越鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商。

事實上，不久前SK 海力士才宣布將在美國投資220億美元的金額，用于發(fā)展半導體、綠色能源和生物科學等領域。其中，半導體領域預計將投資150 億美元。具體來說，這150 億美元將用來研究和開發(fā)相關計劃、材料研發(fā)、以及建造先進的封裝技術和測試設備等。

消息人士進一步指出，SK 海力士還將建立一個全國性的研發(fā)合作網(wǎng)絡以及相關設施，用于封裝SK 海力士的存儲芯片，和其他美國公司為機器學習和人工智能應用而設計的邏輯芯片。

SK Securities研究主管兼韓國政府半導體政策顧問Kim Young-woo說，芯片法案當中防堵中國大陸的“護欄”條款，促使韓國芯片廠未來布局從中國轉(zhuǎn)向美國。美中科技戰(zhàn)讓韓國廠商反思，如今的地緣政治風險，讓他們更偏向美國。三星和SK海力士如果不使用美國設備和技術，則無法量產(chǎn)尖端芯片，兩家公司或?qū)⒃诿绹蛟旄喙S。如果必須在美中之間做抉擇，他們只能挑選美國。