使用本設計實例中描述的快速動態(tài)負載來測試電力系統(tǒng)的瞬態(tài)響應可以揭示許多關鍵的運行特性?？焖匐娏麟A躍導致的電壓偏差可以提供對穩(wěn)壓器相位裕度的深入了解。此外，對于距離負載點有一定距離的電源，瞬態(tài)測試可以幫助確定有效的串聯(lián)互連電感、并聯(lián)電容和 ESR。雖然商業(yè)電源的相位裕度通常由供應商驗證，但添加遠程感應通常會破壞電源的穩(wěn)定性?；ミB電感和負載電容會在調(diào)節(jié)器控制回路反饋中引入額外的相移，從而影響穩(wěn)定性。

許多工程師已經(jīng)看到了穩(wěn)壓器輸出上的低頻正弦波。

對組裝系統(tǒng)執(zhí)行瞬態(tài)測試可以快速檢查系統(tǒng)的動態(tài)調(diào)節(jié)穩(wěn)定性和準確性。大多數(shù)商用動態(tài)電子負載的電流轉換速率都相當慢，這往往會限制它們在測試更快的調(diào)節(jié)器控制回路中的用處，這些調(diào)節(jié)器控制回路通?？梢栽诖筘撦d瞬態(tài)后的 50μs 或更短的時間內(nèi)達到穩(wěn)定狀態(tài)。許多大功率系統(tǒng)需要 10A/μs 或更高的電流轉換速率。

圖 1是對應用說明的改編，有一些顯著的改進。最大功率已增加到 150W，專為 3.3V、5V 和 12V 穩(wěn)壓器輸出而設計。R1-R3 形成由單個 N 溝道低側 MOSFET 切換的電阻負載。負載電阻器的尺寸和填充可以實現(xiàn)大量可能的負載組合。

圖1 瞬態(tài)負載測試儀示意圖

在電路的核心，帶有施密特觸發(fā)器輸入的MOSFET 驅動器 U1用于驅動 MOSFET，并與 Q2、R8、R9 和 C3 形成張弛振蕩器。對于所示的組件值，占空比約為 5%，周期時間為 20ms。具有相對低的占空比允許適度的冷卻解決方案。

R6 和 R7 結合 MOSFET 的輸入電容 C ISS獨立調(diào)整上升和下降時間。根據(jù)所示值，上升和下降時間約為 1μs。在此壓擺率下，峰值 MOSFET 柵極電流約為 +110/-75mA，遠低于 U1 的最大額定電流 1.4A?？梢蕴砑?C2 以進一步減慢邊緣速率。由于 1μs 的上升/下降時間和相對較大的柵極電阻器增加了耗散阻尼，MOSFET 柵極開關諧振不會很顯著。當 MOSFET 關閉時，R4 和 C1 有助于抑制線路諧振。R4 的值由有效線路電感和輸入電容確定。事實證明，0.5O 的值對于典型的布線場景是有效的。

此實現(xiàn)的更方便的功能之一是與 DUT 的兩線連接。對于 3.3V 和 5V 系統(tǒng)，包括一個 12V 升壓轉換器來為 MOSFET 驅動器和柵極供電。不需要其他連接或電源。升壓轉換器的輸出可以通過 3.3V 輸入提供大約 350mA 的電流，這可能會限制可提供給 MOSFET 柵極充電的電流量。低 ESR 鋁電容器 C5 提供一些初始柵極充電電流，以實現(xiàn)更快的電流邊沿速率。對于 12V 操作，可以通過將 C7 替換為 0O 電阻來組裝直接連接版本，禁用升壓轉換器。L1 和 D2 上會有一些電壓降，但這不會影響電路的正常運行。

整個電路可以舒適地安裝在 3" × 5" 兩層 PCB 上，包括散熱器和小型 12V 風扇。只需連接兩根線，操作非常簡單。

測試儀的引線必須短且電感低，以防止引線電抗產(chǎn)生振鈴。應在負載點或遠程感應位置附近進行 DUT 連接。測試儀的公共端和電壓探頭返回引線應連接在一個位置。還應選擇此位置以具有返回電源的低阻抗路徑。

按下瞬時按鈕 PB1 啟動非穩(wěn)態(tài)電路，動態(tài)負載開始切換。如果需要，可以從外部提供靜態(tài) PSU 負載。R5 和 J2 為測量脈沖電流提供了一種方便的高帶寬手段。一個直的 50Ω 同軸電纜可以直接連接到示波器輸入端，用于監(jiān)測 1mV/A 的電流。電壓測量也應在負載點或遠程感應點附近進行，并應交流耦合到第二個示波器輸入。電壓探測必須小心。來自遠處接地/返回引線的探頭電感會導致誤導性測量?？梢栽谔筋^尖端添加一個小型串聯(lián)電阻(幾歐姆)，還以抑制來自探頭 ESL 的高頻振鈴。