俄羅斯科學院準備2028年完成7nm光刻機建造
10月22日消息,據(jù)外媒Tomshardware報道,一家俄羅斯研究所正在開發(fā)自己的半導體光刻設備,該設備可以被用于7nm制程芯片的制造。目前該設備正在開發(fā)中,計劃在 2028 年建成。當它準備好時,可能會比 ASML 的 Twinscan NXT:2000i 工具更高效,后者的開發(fā)時間超過了十年。
在今年2月24日,俄烏沖突爆發(fā)后,美國、英國和歐盟先后對俄羅斯采取了制裁措施,禁止了幾乎所有擁有先進晶圓廠的合同芯片制造商與俄羅斯實體合作。中國臺灣也迅速禁止向該國運送先進芯片。此外,在英國的對俄制裁之下,英國Arm也不能將他們新的半導體IP技術(shù)授權(quán)給俄羅斯的芯片設計廠商。因此,俄羅斯政府推出了一項國家計劃,計劃到 2030 年開發(fā)出自己的 28nm制程制造技術(shù),并盡可能多的外國芯片進行逆向工程,同時培養(yǎng)當?shù)厝瞬艔氖聡a(chǎn)芯片工作。
目前,俄羅斯本土最先進的晶圓廠可以制造65nm制程的芯片。而且,由于美國等各方的制裁,美國和歐洲的半導體設備制造商也無法向俄羅斯供應半導體設備,因此俄羅斯要想實現(xiàn) 28nm 節(jié)點的量產(chǎn),就必須設計和建造俄羅斯自己的晶圓生產(chǎn)設備。也就是說,俄羅斯希望在8年時間內(nèi),完成像 ASML 和 Applied Materials (應用材料)這樣的公司花了幾十年的時間來開發(fā)和迭代的事情。
顯然,根據(jù)下諾夫哥羅德戰(zhàn)略發(fā)展網(wǎng)站(通過 CNews) 發(fā)布的計劃,俄羅斯科學院下屬的俄羅斯應用物理研究所(Russian Institute of Applied Physics,IAP)打算超越所有人的預期,到 2028 年生產(chǎn)出具有 7nm 制造能力的光刻設備。
半導體芯片:在半導體片材上進行浸蝕,布線,制成的能實現(xiàn)某種功能的半導體器件。不只是硅芯片,常見的還包括砷化鎵(砷化鎵有毒,所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它),鍺等半導體材料。半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代,因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存(D-RAM)市場占上風。
為了滿足量產(chǎn)上的需求,半導體的電性必須是可預測并且穩(wěn)定的,因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結(jié)構(gòu)的品質(zhì)都必須嚴格要求。常見的品質(zhì)問題包括晶格的位錯(dislocation)、孿晶面(twins)或是堆垛層錯(stacking fault)都會影響半導體材料的特性。對于一個半導體器件而言,材料晶格的缺陷(晶體缺陷)通常是影響元件性能的主因。
目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱為柴可拉斯基法(鋼鐵場常見工法)。這種工藝將一個單晶的晶種(seed)放入溶解的同材質(zhì)液體中,再以旋轉(zhuǎn)的方式緩緩向上拉起。在晶種被拉起時,溶質(zhì)將會沿著固體和液體的接口固化,而旋轉(zhuǎn)則可讓溶質(zhì)的溫度均勻。
根據(jù)WSTS世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織的數(shù)據(jù),中國半導體市場銷售規(guī)模從2014年的913.75億美元增長至2021年的1925億美元,年復合增長率為11.23%。隨著消費水平的提高、信息技術(shù)的進步和數(shù)字經(jīng)濟的飛速發(fā)展,中國對半導體產(chǎn)品的需求不斷擴大,逐步成長為全球最大的單一半導體銷售市場,2021年半導體銷售額占全球市場的34.6%。
半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對我國經(jīng)濟增長、就業(yè)機會創(chuàng)造、關(guān)鍵技術(shù)突破和國家安全至關(guān)重要,也是抓住新一輪科技和產(chǎn)業(yè)革命歷史機遇的關(guān)鍵。在疫情沖擊,全球貿(mào)易保護主義升溫的背景下,我國迫切需要提升芯片自給率,擺脫對以美國為主的國際技術(shù)的依賴。一方面,我國IC進出口長期存在巨額貿(mào)易逆差,芯片對外依存度高,高端芯片嚴重依賴進口;另一方面,根據(jù)IC insights的數(shù)據(jù),我國IC自給率雖總體呈現(xiàn)上升趨勢,但目前仍然處于低位,芯片自給率亟待提升?;厮萑?a href="/tags/半導體" target="_blank">半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程,我們應當認識到,芯片自給率并不能在短期內(nèi)實現(xiàn)大幅度提升,需要持之以恒,久久為功。





