世代更替
時(shí)間：2022-10-24 10:14:56
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[導(dǎo)讀]人類(lèi)世代的演變很慢，在現(xiàn)在人們的記憶中，有“嬰兒潮”一代，然后是X世代、千禧一代（Y世代）和Z世代，最后到現(xiàn)在又奇怪地稱為“A”世代。我覺(jué)得這是因?yàn)樽帜敢呀?jīng)被用光了。而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，世代的發(fā)展較快，從2020年11月UnitedSiC推出750V SiC FET開(kāi)始，UnitedSiC SiC FET現(xiàn)已發(fā)展到了第4代。
人類(lèi)世代的演變很慢，在現(xiàn)在人們的記憶中，有“嬰兒潮”一代，然后是X世代、千禧一代（Y世代）和Z世代，最后到現(xiàn)在又奇怪地稱為“A”世代。我覺(jué)得這是因?yàn)樽帜敢呀?jīng)被用光了。而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，世代的發(fā)展較快，
從2020年11月UnitedSiC推出750V SiC FET開(kāi)始，UnitedSiC SiC FET現(xiàn)已發(fā)展到了第4代。
我們比較6毫歐左右的兩代器件的數(shù)據(jù)。首先注意到的是，額定電壓升高至750V。這能讓整流線路應(yīng)用擁有額外的有用安全裕度，在此類(lèi)應(yīng)用中，運(yùn)行電壓峰值可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)400V，浪涌和尖峰還會(huì)進(jìn)一步推高電壓。第4代器件將反向恢復(fù)電荷Qrr降低了幾乎一半，為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)了顯著的損耗降低，總開(kāi)關(guān)能耗也有類(lèi)似降低。較小的晶粒還會(huì)帶來(lái)動(dòng)態(tài)能量節(jié)約，使得性能表征RDS(on) x A更好，而且由于晶粒體積比第3代器件小了35%，還能提升晶圓產(chǎn)量，因而更加經(jīng)濟(jì)。為了在減小晶粒體積的同時(shí)將結(jié)殼熱阻保持在合理水平，我們使用銀燒結(jié)晶粒連接方式和先進(jìn)的晶圓減薄技術(shù)。第4代的短路耐受時(shí)間是第3代的兩倍以上，而導(dǎo)通電阻極低的750V/6mOhm FET的體二極管浪涌電流額定值保持不變。有趣的是，導(dǎo)通電阻隨溫度上升而增加的速度比第3代器件快，不過(guò)起始值較低，而這種效應(yīng)實(shí)際上正是提高短路耐受時(shí)間額定值的助力。還有一個(gè)相關(guān)因素是，第4代器件打開(kāi)和關(guān)閉時(shí)的開(kāi)關(guān)能量的溫度系數(shù)為正，而第3代器件則為負(fù)，而在額定運(yùn)行條件和溫度下，第4代器件的Eon值比第3代低，二者的Eoff值相近。
并聯(lián)SiC FET可能會(huì)引起柵極電路中的振蕩，而緩沖電路可以通過(guò)降低邊緣速率來(lái)防止這一情況，但是還是建議為每個(gè)器件和打開(kāi)、關(guān)閉驅(qū)動(dòng)狀態(tài)使用單獨(dú)的柵極電阻。在柵極連接中使用串聯(lián)磁珠也是一個(gè)安全的解決方案，同時(shí)還要采用良好的直流鏈解耦實(shí)踐來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻，以及優(yōu)化了電壓和局部解耦的穩(wěn)健柵極驅(qū)動(dòng)器。
從2020年11月UnitedSiC推出750V SiC FET開(kāi)始，UnitedSiC SiC FET現(xiàn)已發(fā)展到了第4代。
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UnitedSiC第3代器件在市場(chǎng)上表現(xiàn)出色，有許多文章論述了它與硅器件和GaN器件相比所具有的優(yōu)勢(shì)，但是SiC現(xiàn)在的性能距離它的理論性能極限仍有一段距離，因此擁有更好性能的UnitedSiC第4代SiC FET共源共柵器件不可避免地誕生了。然而，對(duì)于更快開(kāi)關(guān)速度與更低損耗的需求要求我們謹(jǐn)慎處理，以避免過(guò)沖和振鈴，從而使減輕電磁干擾成為一個(gè)重要考慮因素。接下來(lái)，我們概述它帶來(lái)的改進(jìn)，并討論一些應(yīng)用挑戰(zhàn)。
第四代器件改進(jìn)的雷達(dá)圖
與第3代器件相比，第4代SiC FET有若干方面的改進(jìn)，從“雷達(dá)”圖中能清楚看到。
我們比較6毫歐左右的兩代器件的數(shù)據(jù)。首先注意到的是，額定電壓升高至750V。這能讓整流線路應(yīng)用擁有額外的有用安全裕度，在此類(lèi)應(yīng)用中，運(yùn)行電壓峰值可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)400V，浪涌和尖峰還會(huì)進(jìn)一步推高電壓。第4代器件將反向恢復(fù)電荷Qrr降低了幾乎一半，為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)了顯著的損耗降低，總開(kāi)關(guān)能耗也有類(lèi)似降低。較小的晶粒還會(huì)帶來(lái)動(dòng)態(tài)能量節(jié)約，使得性能表征RDS(on) x A更好，而且由于晶粒體積比第3代器件小了35%，還能提升晶圓產(chǎn)量，因而更加經(jīng)濟(jì)。為了在減小晶粒體積的同時(shí)將結(jié)殼熱阻保持在合理水平，我們使用銀燒結(jié)晶粒連接方式和先進(jìn)的晶圓減薄技術(shù)。第4代的短路耐受時(shí)間是第3代的兩倍以上，而導(dǎo)通電阻極低的750V/6mOhm FET的體二極管浪涌電流額定值保持不變。有趣的是，導(dǎo)通電阻隨溫度上升而增加的速度比第3代器件快，不過(guò)起始值較低，而這種效應(yīng)實(shí)際上正是提高短路耐受時(shí)間額定值的助力。還有一個(gè)相關(guān)因素是，第4代器件打開(kāi)和關(guān)閉時(shí)的開(kāi)關(guān)能量的溫度系數(shù)為正，而第3代器件則為負(fù)，而在額定運(yùn)行條件和溫度下，第4代器件的Eon值比第3代低，二者的Eoff值相近。
生成電磁干擾解決方案
SiC FET的速度極快，這是降低動(dòng)態(tài)損耗所必需的，但是因?yàn)榕c電路寄生電感交互，所以高di/dt和dV/dt會(huì)造成電磁干擾高的風(fēng)險(xiǎn)。這會(huì)造成振鈴和過(guò)沖，從而降低電壓裕度并造成電磁兼容性合規(guī)問(wèn)題，因此通常需要控制邊緣速率。傳統(tǒng)解決方案引入串聯(lián)電阻來(lái)驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，但是在高頻軟開(kāi)關(guān)電路中，這會(huì)降低效率，增加延遲時(shí)間并降低本已極小的打開(kāi)時(shí)間和控制范圍。從漏極到源極跨接小RC緩沖電路是一個(gè)更好的解決方案，可限制過(guò)沖和抑制振鈴，而不會(huì)帶來(lái)額外的損耗。請(qǐng)?jiān)诰W(wǎng)站上查找用戶指南，了解RC值非常小的時(shí)候各種器件在不同條件下的推薦值并將其作為起點(diǎn)。對(duì)于軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，一個(gè)電容器就已經(jīng)足夠。并聯(lián)SiC FET可能會(huì)引起柵極電路中的振蕩，而緩沖電路可以通過(guò)降低邊緣速率來(lái)防止這一情況，但是還是建議為每個(gè)器件和打開(kāi)、關(guān)閉驅(qū)動(dòng)狀態(tài)使用單獨(dú)的柵極電阻。在柵極連接中使用串聯(lián)磁珠也是一個(gè)安全的解決方案，同時(shí)還要采用良好的直流鏈解耦實(shí)踐來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻，以及優(yōu)化了電壓和局部解耦的穩(wěn)健柵極驅(qū)動(dòng)器。
第4代SiC FET擁有支撐體系
人們說(shuō)，每一代都會(huì)比上一代成熟，就像“A世代”不超過(guò)12歲，卻已經(jīng)比“嬰兒潮”一代的大部分人更精通IT。第4代SiC FET隨附龐大的支持?jǐn)?shù)據(jù)和應(yīng)用注釋?zhuān)鳸nitedSiC的在線FET-Jet計(jì)算器?能指導(dǎo)您選擇器件，并表明實(shí)現(xiàn)性能改進(jìn)所需的真實(shí)值。
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