奈梅亨，2022年11月18日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務器和通信設備。

多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵MOSFET的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流電機控制、以太網供電(POE)和汽車安全氣囊等應用的產品優(yōu)化升級不斷取得成功。

浪涌電流給熱插拔應用帶來了可靠性挑戰(zhàn)。為了應對這一挑戰(zhàn)，增強型SOA MOSFET領域的前沿企業(yè)Nexperia專門針對此類應用進行了全面升級，設計了適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，并增強了SOA性能。與之前的技術相比，PSMNR67-30YLE ASFET的SOA(12V @100mS)性能提高到了2.2倍，同時RDS(on)(最大值)低至0.7mΩ。與未優(yōu)化器件相比，新款器件不僅消除了Spirito效應(表示為SOA曲線的更高壓區(qū)域中更為陡峭的斜向下曲線)，還同時保持了整個電壓和溫度范圍內的出色性能。

Nexperia通過在125°C下對新款器件進行完全表征，并提供高溫下的SOA數據曲線，消除了熱降額設計的必要性，從而為設計人員提供進一步支持。

8款新產品(3款25V和5款30V)現已可選擇LFPAK56或LFPAK56E封裝，其中RDS(on)范圍為0.7m?到2m?，可適用于大多數熱插拔和軟啟動應用。其他2款25V產品的RDS(on)更低，僅為0.5m?，預計將于未來幾個月內發(fā)布。