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[導讀]據業(yè)內信息報道,臺灣地區(qū)中科管理局在本周一再度宣布延后臺積電 2nm 晶圓廠的開發(fā)日程,預計今年第四季度才能完成取地及相關計劃作業(yè)程序,大約 11 月交地后公共工程與廠商方可同步動工。

據業(yè)內信息報道,臺灣地區(qū)中科管理局在本周一再度宣布延后臺積電 2nm 晶圓廠的開發(fā)日程,預計今年第四季度才能完成取地及相關計劃作業(yè)程序,大約 11 月交地后公共工程與廠商方可同步動工。

據悉,臺積電 2nm 晶圓廠區(qū)分別計劃在竹科寶山、中科設廠。臺積電總裁魏哲家在年初的法說會上表示,2nm 制程工藝的進度比之前預估的要更好,明年維持風險試產,預計兩年后量產。

根據公開的資料顯示,臺積電 2nm 晶圓廠中科臺中園區(qū)二期的擴建案共規(guī)劃了兩期共計四座晶圓廠,本來是計劃 2023 年就開始動工并最快與明年年底前將第一座 2nm 晶圓廠投產。

根據臺積電的財報數據顯示,上個月合并總營收約為 1631.74 億新臺幣(約 53.38 億美金),環(huán)比減少 18.4%,同比增長 11.1%,前兩個月的總營收約 3632.25 億新臺幣(約 118.82 億美金),同比增長 13.8%。

2nm 制程工藝是在 3nm 制程工藝之后的下一個微縮制程,臺積電和英特爾都已經在其戰(zhàn)略上規(guī)劃了 2nm 的產品。2018年底,臺積電董事長劉德音就預測芯片規(guī)模將繼續(xù)擴大到 2nm~3nm 制程工藝。

然而到 2019 年,半導體業(yè)內還沒有確定臺積電的技術水平是否可以在 3nm 以外的水準上使用的時候,臺積電已經實現(xiàn)了從 FinFET 到閘極全環(huán)電晶體(GAAFET)類型的轉變。

2020 年的時候,臺積電就計劃在 2024 年左右進入 2nm 的風險生產,同年臺積電開始在新竹科學工業(yè)園區(qū)建立一個 2nm 技術的研發(fā)實驗室。同年臺積電董事長劉德音也表示將在臺灣新竹建立一個 2nm 制程的工廠,也可以根據需求在臺中市的中部科學工業(yè)園區(qū)安裝生產。

據悉,2nm 制程相比 3nm 制程可在相同功耗下提高 10~15% 執(zhí)行效能,而在相同效能下則可降低 25~30% 的功耗,2nm 制程技術采用奈米片電晶體(Nanosheet)設計,將取代過往使用多年的鰭式場效應晶體管(FinFET)設計,同時也能結合Chiplet小晶片設計方案,分別可對應行動裝置運算,以及高效能運算處理器設計需求。

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