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[導讀]基于PLECS的工具可在將設計實現(xiàn)為硬件之前,快速評估針對各種電源開關拓撲結構的解決方案

電氣化正在推動SiC半導體的增長,由于其具備快速開關能力、更低的功率損耗和更高的溫度性能,電動汽車、可持續(xù)發(fā)展和工業(yè)等大型細分市場都轉向SiC電源解決方案。為了幫助電源設計工程師輕松、快速和放心地過渡到SiC電源解決方案,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出MPLAB® SiC電源模擬器,可在將設計實現(xiàn)為硬件之前,快速評估各種拓撲結構中的MicrochipSiC電源器件和模塊。

Microchip的MPLAB SiC電源模擬器是與Plexim合作設計的基于PLECS的軟件環(huán)境,提供在線免費工具,無需購買模擬許可證。MPLAB SiC電源模擬器加速了各種基于SiC的電源拓撲結構的設計過程??蛻艨梢苑判牡卦谠O計階段對SiC解決方案進行基準測試和評估。

Microchip碳化硅業(yè)務部副總裁Clayton Pillion表示:“追求SiC技術的客戶現(xiàn)在可以使用基于網絡的MPLAB SiC電源模擬器,對設計進行基準測試并選擇最適合的Microchip SiC產品。憑借在碳化硅領域二十多年的深耕,Microchip可為客戶提供多種多樣的SiC電源解決方案,還可以很方便地使用其他Microchip配套器件進行設計?!?

新工具通過提供全面的SiC評估,不僅可以提供有價值的基準數據,還可以減少元件選擇時間,從而加快產品上市速度。如果一位電源電子設計師要在25 mΩ和40 mΩ SiC MOSFET之間選擇三相有源前端轉換器,就可以立即得到模擬結果,如器件的平均功率耗散和峰值結溫。

MPLAB SiC電源模擬器是OEM廠商為電動出行、可持續(xù)發(fā)展和工業(yè)應用設計電源系統(tǒng)的重要設計工具,相關應用包括電動汽車、板上/板下充電、電源和電池儲能系統(tǒng)。

Microchip的SiC產品組合包括具有最低寄生電感(<2.9 nH)的行業(yè)領先的電源模塊,以及具有最高額定電流的行業(yè)領先的3.3 kV分立式MOSFET和二極管。組合內其他產品還包括700V、1200V和1700V的裸片、分立器件和模塊,以及AgileSwitch®可配置數字柵極驅動器。

這些SiC器件具有耐用性和優(yōu)異性能,可提供預計超過100年的柵極氧化物壽命和無退化體二極管。在大功率應用中,SiC技術比硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有更高的系統(tǒng)效率、功率密度和溫度穩(wěn)定性。

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