在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)光電耦合器的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果光電耦合器是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、光電耦合器工作特性

1、共模抑制比很高

在光電耦合器內(nèi)部，由于發(fā)光管和受光器之間的耦合電容很小(2pF以內(nèi))所以共模輸入電壓通過(guò)極間耦合電容對(duì)輸出電流的影響很小，因而共模抑制比很高。

2、輸出特性

光電耦合器的輸出特性是指在一定的發(fā)光電流IF下，光敏管所加偏置電壓VCE與輸出電流IC之間的關(guān)系，當(dāng)IF=0時(shí)，發(fā)光二極管不發(fā)光，此時(shí)的光敏晶體管集電極輸出電流稱為暗電流，一般很小。當(dāng)IF>0時(shí)，在一定的IF作用下，所對(duì)應(yīng)的IC基本上與VCE無(wú)關(guān)。IC與IF之間的變化成線性關(guān)系，用半導(dǎo)體管特性圖示儀測(cè)出的光電耦合器的輸出特性與普通晶體三極管輸出特性相似。

3、隔離特性

1.隔離電壓Vio(Isolation Voltage)

光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。

2.隔離電容Cio(Isolation Capacitance)：

光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值

3.隔離電阻Rio：(Isolation Resistance)

半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。

4、傳輸特性：

1.電流傳輸比CTR(Current Transfer Radio)

輸出管的工作電壓為規(guī)定值時(shí)，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。

2.上升時(shí)間Tr (Rise Time)& 下降時(shí)間Tf(Fall Time)

光電耦合器在規(guī)定工作條件下，發(fā)光二極管輸入規(guī)定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應(yīng)的脈沖波，從輸出脈沖前沿幅度的10%到90%，所需時(shí)間為脈沖上升時(shí)間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時(shí)間為脈沖下降時(shí)間tf。

其它參數(shù)諸如工作溫度、耗散功率等不再一一復(fù)述。

5、光電耦合器可作為線性耦合器使用。

在發(fā)光二極管上提供一個(gè)偏置電流，再把信號(hào)電壓通過(guò)電阻耦合到發(fā)光二極管上，這樣光電晶體管接收到的是在偏置電流上增、減變化的光信號(hào)，其輸出電流將隨輸入的信號(hào)電壓作線性變化。光電耦合器也可工作于開關(guān)狀態(tài)，傳輸脈沖信號(hào)。在傳輸脈沖信號(hào)時(shí)，輸入信號(hào)和輸出信號(hào)之間存在一定的延遲時(shí)間，不同結(jié)構(gòu)的光電耦合器輸入、輸出延遲時(shí)間相差很大。

二、光電耦合器的發(fā)展現(xiàn)狀

日本光電耦合器的市場(chǎng)雖不太大，但卻以40%的年增長(zhǎng)率增大，其主要原因是每一個(gè)程序控制器里都要用到20～30個(gè)甚至更多的光電耦合器?，F(xiàn)在，光電耦合器已顯示出一種朝大容量和高速度方向發(fā)展的明顯趨勢(shì)。美、日兩國(guó)生產(chǎn)的光電耦合器以紅外發(fā)光二極管和光敏器件管組成的器件為主，該類器件大約占整個(gè)美、日兩國(guó)生產(chǎn)的全部光電耦合器的60%左右。因?yàn)檫@種類型的器件不僅電流傳輸效率高(一般為7～30%)，而且響應(yīng)速度比較快(2～5μs)，因而能夠滿足大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合要求。日本橫河電機(jī)公司用GaAsP紅外發(fā)光二極管作輸入端，PIN光電二極管作接收端制成的三種高速光電耦合器的絕緣電壓都在3000伏以上，其中5082—43610型超高速數(shù)字光電耦合器和5082—4361型高共模抑制型光電耦合器的響應(yīng)速度均可達(dá)到10Mb/s，它們的電流傳輸效率高達(dá)60%以上。美國(guó)莫托羅拉公司生產(chǎn)的4N25、4N26、4N27型光電耦合器屬于三極管輸出型光電耦合器，這種光電耦合器具有很高的輸入、輸出絕緣性能，其頻率響應(yīng)可達(dá)300kHz，而開關(guān)時(shí)間只有幾微秒。

在日本電氣公司(NEC)生產(chǎn)的高速光電耦合器中，PS2101型光電耦合器是一種通用的四腳扁平組件，它采用砷鋁鎵紅外發(fā)光二極管和硅光電晶體管組合而成，并將其封裝4&TImes;4.4&TImes;2立方毫米的體積之內(nèi)，其響應(yīng)速度為10μs。而PS2041和PS2042型光電耦合器則是將砷鋁鎵發(fā)光二極管和光電晶體管集成在同一襯底上的六腳封裝組件，它們的大小為7.08&TImes;7.6&TImes;3.5立方毫米，響應(yīng)時(shí)間為0.3μs。

近幾年來(lái)，國(guó)內(nèi)有關(guān)單位投入大量人力物力也研究和開發(fā)了各種光電耦合器件。如上海半導(dǎo)體器件八廠、上海無(wú)線電十七廠等。而重慶光電技術(shù)研究所為了適應(yīng)市場(chǎng)需要研制出了一種由高速響應(yīng)發(fā)光器件和邏輯輸出型光接收放大器組成的厚膜集成雙路高速高增益電耦合器。這種光電耦合器的輸入端由兩只GaAIAs側(cè)面發(fā)光管組成，其輸出端由兩只Si—PIN光電探測(cè)器以及兩個(gè)高速高增益線性放大電路組成。

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