最快一代的PCIe數(shù)據(jù)傳輸速率比起Gen 3翻倍，并減少延遲，提供卓越的讀寫(xiě)性能

ATP_Gen 4 M.2 2280 NVMe

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

ATP_Gen 4 M.2 2280 NVMe_pic3

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

ATP-Gen4-U.2-NVMe_N601Sc

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

ATP_M.2-NVMe_2021_Fin-Type

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

ATP-Gen4-U.2-NVMe_N651Si_7.68TB

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

Gen-4-x4-M.2_U.2-SSDs

ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity

臺(tái)北, June 28, 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- 專(zhuān)業(yè)存儲(chǔ)和內(nèi)存解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者ATP推出其最新的高速N601系列M.2 2280和U.2固態(tài)硬盤(pán)(SSD)，具有第四代PCIe?接口并支持NVMe?協(xié)議。新的ATP PCIe Gen 4 SSD的數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到16 GT /s，是上一代的兩倍，每個(gè)PCIe通道的帶寬為2GB/s。

使用x4通道，這些SSD的最大帶寬為8 GB/s，滿(mǎn)足當(dāng)今苛刻應(yīng)用中對(duì)高速數(shù)據(jù)傳輸日益增長(zhǎng)的需求，并使其適用于讀/寫(xiě)密集型，任務(wù)關(guān)鍵型工業(yè)應(yīng)用，如網(wǎng)絡(luò)/服務(wù)器，5G，數(shù)據(jù)記錄，監(jiān)控和成像，其性能與市場(chǎng)上主流的PCIe第4代消費(fèi)級(jí)SSD相當(dāng)，甚至更好。

176層NAND閃存，板載DRAM提供卓越的QoS，每GB成本更低，采用頂級(jí) 512 Gbit芯片封裝

N601系列基于創(chuàng)新的176層3D NAND閃存，采用頂級(jí) 512 Gbit芯片封裝，不僅在64層技術(shù)的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了性能提升，而且還實(shí)現(xiàn)了價(jià)格改善，降低了每GB成本。

M.2 2280固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的容量從240GB到3.84 TB不等，而U.2固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的容量從960GB到7.68 TB不等，為不同的存儲(chǔ)需求提供了更具成本效益的選擇

與上一代相比，N601系列具有杰出的服務(wù)質(zhì)量(QoS)評(píng)級(jí)，具有最佳的一致性和可預(yù)測(cè)性，具有更高的讀/寫(xiě)性能，高IOPS，低寫(xiě)放大指數(shù)(WAI)和低延遲，這得益于其板載DRAM。與無(wú)DRAM方案相比，板載DRAM在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中提供更高的持續(xù)性能

未來(lái)就緒，長(zhǎng)期供應(yīng)保障

最大化SSD的使用壽命，以及在類(lèi)似的消費(fèi)級(jí)同類(lèi)產(chǎn)品停止生產(chǎn)后很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)替代組件的有效性，對(duì)于企業(yè)從投資中獲得最大收益非常重要。這就是為什么ATP致力于長(zhǎng)期供貨支持。

“我們很高興推出這一基于176層三層單元(TLC) NAND閃存的新產(chǎn)品線(xiàn)。雖然有2XX+層的NAND新版本即將發(fā)布，但它們將專(zhuān)注于1TB和更大的密度尺寸?？紤]到許多嵌入式和專(zhuān)業(yè)應(yīng)用對(duì)中低容量SSD設(shè)備的持續(xù)需求，512 Gbit的176層3D TLC NAND仍然是最佳芯片密度。

“除了具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格外，這一代產(chǎn)品還將在所有溫度范圍內(nèi)改善延遲和可靠性。也許對(duì)我們的客戶(hù)群更重要的是，這一代將對(duì)于可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)提供產(chǎn)品長(zhǎng)期供貨。ATP總裁兼首席執(zhí)行官Jeff Hsieh表示:“我們可以自信地與需要5年以上產(chǎn)品長(zhǎng)期供貨規(guī)劃的客戶(hù)合作。”

運(yùn)行可靠且安全

N601系列提供了許多可靠性、安全性和數(shù)據(jù)完整性功能，例如:

• End-to-end數(shù)據(jù)保護(hù)，TRIM功能支持，LDPC糾錯(cuò)
• 抗硫化電阻器可抵御硫污染的破壞性影響，即使在高含硫量的環(huán)境中也能保證持續(xù)可靠的運(yùn)行
• 基于硬件的AES 256位加密和可選的TCG Opal 2.0/ IEEE 1667安全性，用于自加密驅(qū)動(dòng)器(SED)
• N601Sc系列在商業(yè)級(jí)溫度(0℃至70℃)額定值的不同溫度變化下提供可靠的運(yùn)行。工業(yè)級(jí)溫度(-40℃至85℃)的N651Si系列將在不久之后發(fā)布。
• 熱節(jié)流（Thermal throttling）功能：智能調(diào)節(jié)每操作單位時(shí)間的工作量。節(jié)流階段是預(yù)先配置的，允許控制器有效地管理熱量的產(chǎn)生，以保持SSD冷卻。這確保了穩(wěn)定的持續(xù)性能，并防止熱量損壞設(shè)備。同時(shí)也可根據(jù)項(xiàng)目和客戶(hù)需求提供外加散熱器選項(xiàng)。
• 斷電保護(hù) (PLP)機(jī)制。N601系列U.2和即將推出的工業(yè)級(jí)溫度M.2 2280固態(tài)硬盤(pán)具有基于硬件的PLP。板載電容保持足夠長(zhǎng)的電力，以確保最后的讀/寫(xiě)/擦除命令完成，數(shù)據(jù)安全地存儲(chǔ)在非易失性閃存中。基于微控制器單元(MCU)的設(shè)計(jì)允許PLP陣列在各種溫度，電源故障和充電狀態(tài)下智能執(zhí)行，以保護(hù)設(shè)備和數(shù)據(jù)。另一方面，商業(yè)級(jí)溫度M.2 2280固態(tài)硬盤(pán)具有基于固件的PLP，可以有效地保護(hù)已寫(xiě)入的數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)榈綦姸鴣G失。

關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用：我們與您一起構(gòu)建

根據(jù)項(xiàng)目支持和客戶(hù)要求，ATP可以提供硬件/固件定制，熱節(jié)流解決方案定制以及工程聯(lián)合驗(yàn)證和協(xié)作。

為了確保關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用的設(shè)計(jì)可靠性，ATP執(zhí)行廣泛的測(cè)試，全面的設(shè)計(jì)/產(chǎn)品特征和規(guī)格驗(yàn)證，以及批量生產(chǎn)(MP)階段的定制測(cè)試，例如老化，電源循環(huán)，特定測(cè)試腳本等。

產(chǎn)品亮點(diǎn)

*By Project Support