2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。

這款單通道驅動器可連接最高1200V的電壓軌，而STGAP2GSN 窄版可連接高達 1700V的電壓軌，柵極驅動電壓最高15V。該驅動器能夠向所連接的 GaN 晶體管柵極灌入和源出最高3A的電流，即使在高工作頻率下也能精準控制功率晶體管的開關操作。

STGAP2GS 跨越隔離勢壘的傳播延時極短，只有 45ns，動態(tài)響應快速。此外，在整個工作溫度范圍內，dV/dt 瞬變電壓耐量為 ±100V/ns，可防止晶體管柵極電流發(fā)生不必要的變化。STGAP2GS 具有獨立的灌電流和源電流引腳，可輕松調整柵極驅動操作方式和性能。

STGAP2GS 驅動器無需使用光學隔離分立元件，方便消費電子、工業(yè)控制等產(chǎn)品設備采用高效、穩(wěn)健的 GaN 技術。目標應用包括計算機服務器電源、工廠自動化設備、電機驅動器、太陽能發(fā)電、風力發(fā)電系統(tǒng)、家用電器、家用電風扇和無線充電器。

除了集成電流隔離功能外，新驅動器還具有內置系統(tǒng)保護功能，包括針對 GaN 技術優(yōu)化的熱關斷和欠壓鎖定 (UVLO)，確保驅動器的可靠性和耐變性。

EVSTGAP2GS和 EVSTGAP2GSN 兩個演示板分別集成標準版STGAP2GS 和窄版 STGAP2GSN 與 ST 的 SGT120R65AL 75mΩ、650V 增強型 GaN 晶體管，幫助用戶評估驅動器的功能。

采用 SO-8 寬體封裝的 STGAP2GS 和 SO-8窄體封裝的STGAP2GSN現(xiàn)已上市。