業(yè)內(nèi)消息，近日三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免，其中國工廠無需特別許可即可進口美國芯片設備。知情人士透露三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝，并開始大規(guī)模擴張。

消息人士稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進可生產(chǎn)第 8 代 NAND 的設備，這也被業(yè)界視為克服全球 NAND 需求疲軟導致產(chǎn)能下降的戰(zhàn)略步驟。

三星(中國)半導體有限公司的工廠與 2012 年落戶西安高新區(qū)，2020 年增設了第二期工廠項目，目前已發(fā)展成為全球最大的 NAND 制造基地，每月可生產(chǎn) 20 萬片 12 英寸晶圓，這占據(jù)了三星 NAND 總產(chǎn)量的 40% 以上。

據(jù)悉，三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元(當前約合 795.2 億人民幣)，2017 年開始建造的第二工廠，先后投資了 150 億美元(當前約合 1097.4 億人民幣)。三星位于西安的工廠是唯一的海外存儲器半導體生產(chǎn)基地。

業(yè)內(nèi)分析人士認為，三星決定升級其西安工廠的原因有兩個。其一主要在全球 NAND 市場環(huán)境沒有表現(xiàn)出明顯的復蘇跡象，而在這種情況下三星需要保持其在 NAND 市場的全球領(lǐng)導地位，另一個原因即為美國近日對其通過的無限期豁免政策。

中美之間的貿(mào)易和科技限制引起韓國企業(yè)的擔憂。韓國經(jīng)濟高度依賴半導體領(lǐng)域，全球第一和第二大存儲芯片制造商三星和 SK 海力士都在中國的芯片設施投入數(shù)十億巨資，中國也是韓國芯片的大客戶。

據(jù)悉，三星電子大約 40% 的 NAND 閃存芯片在其位于中國西安的工廠生產(chǎn)，SK 海力士大約 40% 的 DRAM 芯片在無錫生產(chǎn)，20% 的 NAND 閃存芯片在大連生產(chǎn)。業(yè)內(nèi)分析機構(gòu) TrendForce 的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，截至今年 6 月底上述兩家半導體生產(chǎn)商合計控制著全球近 70% 的 DRAM 市場和 50% 的 NAND 閃存市場。

疫情后的市場低迷再加上產(chǎn)能嚴重過剩嚴重影響了三星的 NAND 業(yè)務，導致庫存水位一直增加也進一步加劇虧損。上半年三星也因此不得不宣布減產(chǎn)，但通過升級最新的第 8 代 NAND 產(chǎn)品不僅可以使三星產(chǎn)品擁有價格優(yōu)勢，而且最新工藝比起第 6 代晶圓投入減少約 30%，更能平衡市場供應和需求。