日前韓國(guó)今日電子新聞報(bào)道稱三星計(jì)劃斥巨資進(jìn)口大量的半導(dǎo)體設(shè)備，其中包括更多的 ASML 極紫外（EUV）光刻設(shè)備。盡管因?yàn)楹贤械谋Ｃ軛l款未能披露具體細(xì)節(jié)，但證券市場(chǎng)消息稱，該協(xié)議將使 ASML 在五年內(nèi)提供總共 50 套設(shè)備，而每臺(tái)單價(jià)約為 2000 億韓元（當(dāng)前約合人民幣 11.16 億），總價(jià)值可達(dá) 10 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約合人民幣 558 億）。

目前尚不清楚其合同中的產(chǎn)品是現(xiàn)有 EUV 光刻設(shè)備還是下一代 “High NA EUV” 光刻設(shè)備。不過(guò)目前 EUV 光刻設(shè)備最大的問(wèn)題是產(chǎn)量有限。官方稱其比衛(wèi)星部件還復(fù)雜，每年只能生產(chǎn)很有限的數(shù)量。

據(jù)說(shuō)，去年只生產(chǎn)了 40 臺(tái)，而今年 ASML 估計(jì)是 60 臺(tái)。目前需要且能購(gòu)買到 EUV 光刻設(shè)備的廠商有五家：三星電子、臺(tái)積電、英特爾、SK 海力士和美光。其中，臺(tái)積電約占供應(yīng)量的 70%，剩下四家公司爭(zhēng)奪剩下的 30%。

去年 6 月三星電子推出了全球首個(gè)采用全柵極（GAA）技術(shù)的 3nm 代工技術(shù)，因此該公司一直在努力確保采購(gòu)更多 EUV 光刻設(shè)備，目標(biāo)是在明年上半年進(jìn)入 3nm 世代的第二代工藝，在 2025 年進(jìn)入 2nm 工藝，在 2027 年進(jìn)入 1.4nm 工藝。

因此，去年 6 月三星電子董事長(zhǎng)李在镕訪問(wèn)了 ASML 總部，與 ASML 首席執(zhí)行官 Peter·Bennink 討論了 EUV 采購(gòu)問(wèn)題，并在同年 11 月訪問(wèn)韓國(guó)期間與 Bennink 進(jìn)行了進(jìn)一步會(huì)談。鑒于 EUV 的交付周期（從下單到收貨）至少需要一年，這些會(huì)議看起來(lái)確實(shí)取得了實(shí)際成果。

實(shí)際上，半導(dǎo)體領(lǐng)域分析師也對(duì)三星電子增購(gòu) EUV 光刻設(shè)備的計(jì)劃持積極態(tài)度。祥明大學(xué)系統(tǒng)半導(dǎo)體工程教授 Lee Jong-hwan 表示：“三星已引進(jìn)數(shù)十臺(tái) EUV 光刻設(shè)備，據(jù)說(shuō)每臺(tái)設(shè)備的成本約為 2000 億韓元，這表明該公司打算擴(kuò)大 3nm 量產(chǎn)機(jī)會(huì)，并在未來(lái)實(shí)現(xiàn) 2nm 計(jì)劃?！?span>

此前，三星電子宣布計(jì)劃到 2025 年擁有 100 臺(tái) EUV 光刻機(jī)。市場(chǎng)估計(jì)三星目前的 EUV 機(jī)群約為 40 臺(tái)。如果這 50 臺(tái)設(shè)備的能夠順利交付，那么三星到 2028 年將能夠擁有約 100 臺(tái)設(shè)備。

荷蘭應(yīng)用科學(xué)研究所（TNO）韓國(guó)代表 Byung-hoon Park 解釋稱說(shuō)：“通常情況下，半導(dǎo)體工藝可以將每臺(tái)機(jī)器的 10% 用于工藝研發(fā)和測(cè)試，擁有 100 臺(tái)機(jī)器則意味著它們可以全天候用于研發(fā)。”

他還指出，“通過(guò)這樣做，我們將能夠確保有足夠的工藝能力來(lái)正確使用設(shè)備”，他補(bǔ)充說(shuō)，“ 預(yù)計(jì)這將減少工藝過(guò)程中的時(shí)間和成本，并提高產(chǎn)量。”

“一旦我們擁有了大量的（EUV）設(shè)備，并且技術(shù)趨于穩(wěn)定，我們將能夠提高產(chǎn)量，并在代工方面取得進(jìn)展” ，工業(yè)研究所的專家研究員金陽(yáng)邦（Kim Yang-pang）說(shuō)。