業(yè)內(nèi)消息，近日有媒體報道稱三星韓國平澤工業(yè)園的P4工廠曾在2024年1月發(fā)生一起員工墜亡事故，負(fù)責(zé)該工廠安全管理的人員已被指控犯有刑事罪。韓國京畿道平澤警方表示，該所正在調(diào)查三星工程公司員工A和分包商官員B，他們涉嫌玩忽職守，間接導(dǎo)致一名工人死亡。

當(dāng)?shù)貢r間2024年1月2日上午9:45，三星P4半導(dǎo)體工廠的綜合樓施工現(xiàn)場發(fā)生事故，當(dāng)時正在進(jìn)行管道連接的一名工人從7米高處墜落并死亡。警方表示，鑒于定期進(jìn)行的安全培訓(xùn)、工地管理監(jiān)督情況以及安全設(shè)施是否到位，安全管理人員A先生和B先生可能要對事故負(fù)責(zé)。

據(jù)悉，發(fā)生事故的大樓共有8層（82米），目前由三星工程公司負(fù)責(zé)建設(shè)。由于半導(dǎo)體工廠的性質(zhì)，每層樓的層高都非常高，而這名墜亡的員工當(dāng)時正在六樓工作，從7米高處墜落。

韓國警方計劃對現(xiàn)場涉案人員繼續(xù)調(diào)查，根據(jù)調(diào)查結(jié)果，受到指控的人數(shù)可能繼續(xù)增加。韓國就業(yè)、勞動和福利部也在調(diào)查《致命事故處罰法》是否適用于三星這起案件，該部門表示，如果發(fā)現(xiàn)任何違規(guī)行為，將采取嚴(yán)厲措施。

據(jù)悉，三星平澤P4晶圓廠建設(shè)工程已完成大半，計劃最早于2024年開始運營，設(shè)有晶圓代工和DRAM、NAND閃存芯片生產(chǎn)線。該工廠占地面積達(dá)181.4萬平方米，內(nèi)部建設(shè)代號PH2的無塵室，專為晶圓代工業(yè)務(wù)使用。三星決定延遲PH2無塵室的建設(shè)，而優(yōu)先建設(shè)為DRAM等生產(chǎn)線準(zhǔn)備的PH3無塵室，此外，三星也在加快P5、P6工廠的投資，其中P5工廠已于2023年上半年完成地基工程。