一、電容大小的影響

在復(fù)位電路中，電容的作用是給系統(tǒng)提供恒定的電源電壓，從而保證開機時系統(tǒng)能夠正確地執(zhí)行初始化和自檢過程。因此，選擇合適大小的電容對于系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能至關(guān)重要。

具體而言，電容的大小會影響復(fù)位時間和復(fù)位電壓的穩(wěn)定性。當(dāng)電容過大時，會導(dǎo)致復(fù)位時間過長，系統(tǒng)啟動速度變慢，嚴(yán)重時可能導(dǎo)致系統(tǒng)長時間無法啟動。而電容過小時，則會導(dǎo)致復(fù)位電壓波動較大，從而影響系統(tǒng)運行的穩(wěn)定性。

因此，選擇合適大小的電容是非常有必要的，可以保障系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

二、電容大小的推薦值

在常見的復(fù)位電路設(shè)計中，一般建議電容的大小在10uF到100uF之間。如果在復(fù)位電路的輸入處增加了一個穩(wěn)壓電路，電容大小可以適當(dāng)減小。

當(dāng)然，實際的電容大小還要考慮到具體的系統(tǒng)設(shè)計參數(shù)，比如工作電壓、系統(tǒng)負(fù)載、復(fù)位電路的功耗等因素。因此，在進(jìn)行具體設(shè)計時，需要根據(jù)實際情況進(jìn)行具體計算和調(diào)整。

三、影響電容大小選擇的因素

除了系統(tǒng)設(shè)計參數(shù)外，還有一些其他的因素可能會影響電容大小的選擇。

1. 環(huán)境溫度

在高溫環(huán)境下，電容容值可能會發(fā)生變化，因此需要選擇溫度穩(wěn)定性較好的電容，在確定電容大小時還需要考慮所處環(huán)境的溫度條件。

2. 供電電壓

一般來說，電容的容值應(yīng)該隨著供電電壓的增加而增加。因此，在實際應(yīng)用中，需要根據(jù)具體的供電電壓選擇合適大小的電容。

3. 負(fù)載特性

如果系統(tǒng)中存在較大的負(fù)載，電路中需要分別設(shè)計電感和電容才能保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。在設(shè)計電容時，需要考慮具體的負(fù)載特性和穩(wěn)定性要求。

復(fù)位電路

復(fù)位電路由電容串聯(lián)電阻構(gòu)成,由圖并結(jié)合"電容電壓不能突變"的性質(zhì),可以知道,當(dāng)系統(tǒng)一上電,RST腳將會出現(xiàn)高電平,并且,這個高電平持續(xù)的時間由電路的RC值來決定.典型的51單片機當(dāng)RST腳的高電平持續(xù)兩個機器周期以上就將復(fù)位,所以,適當(dāng)組合RC的取值就可以保證可靠的復(fù)位.

一般教科書推薦C 取10u,R取8.2K.當(dāng)然也有其他取法的,原則就是要讓RC組合可以在RST腳上產(chǎn)生不少于2個機周期的高電平.至于如何具體定量計算,可以參考電路分析相關(guān)書籍. 晶振電路:典型的晶振取11.0592MHz(因為可以準(zhǔn)確地得到9600波特率和19200波特率,用于有串口通訊的場合)/12MHz(產(chǎn)生精確的uS級時歇,方便定時操作)

常見的復(fù)位電路

80C51單片機復(fù)位電路

單片機的復(fù)位有上電復(fù)位和按鈕手動復(fù)位兩種。如圖2(a)所示為上電復(fù)位電路，圖(b)所示為上電按鍵復(fù)位電路。

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上電復(fù)位是利用電容充電來實現(xiàn)的，即上電瞬間RST端的電位與VCC相同，隨著充電電流的減少，RST的電位逐漸下降。圖2(a)中的R是施密特觸發(fā)器輸入端的一個10K?下拉電阻，時間常數(shù)為10×10-6×10×103=100ms。只要VCC的上升時間不超過1ms，振蕩器建立時間不超過10ms，這個時間常數(shù)足以保證完成復(fù)位操作。上電復(fù)位所需的最短時間是振蕩周期建立時間加上2個機器周期時間，在這個時間內(nèi)RST的電平應(yīng)維持高于施密特觸發(fā)器的下閾值。

上電按鍵復(fù)位2(b)所示。當(dāng)按下復(fù)位按鍵時，RST端產(chǎn)生高電平，使單片機復(fù)位。復(fù)位后，其片內(nèi)各寄存器狀態(tài)見表，片內(nèi)RAM內(nèi)容不變。

c51單片機復(fù)位電路

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如S22復(fù)位鍵按下時：RST經(jīng)1k電阻接VCC，獲得10k電阻上所分得電壓，形成高電平，進(jìn)入“復(fù)位狀態(tài)”

當(dāng)S22復(fù)位鍵斷開時：RST經(jīng)10k電阻接地，電流降為0，電阻上的電壓也將為0，RST降為低電平，開始正常工作。

單片機上電復(fù)位電路

AT89C51的上電復(fù)位電路如圖2所示，只要在RST復(fù)位輸入引腳上接一電容至Vcc端，下接一個電阻到地即可。對于CMOS型單片機，由于在RST端內(nèi)部有一個下拉電阻，故可將外部電阻去掉，而將外接電容減至1μF。上電復(fù)位的工作過程是在加電時，復(fù)位電路通過電 容加給RST端一個短暫的高電平信號，此高電平信號隨著Vcc對電容的充電過程而逐漸回落，即RST端的高電平持續(xù)時間取決于電容的充電時間。為了保證系統(tǒng)能夠可靠地復(fù)位，RST端的高電平信號必須維持足夠長的時間。

上電時，Vcc的上升時間約為10ms，而振蕩器的起振時間取決于振蕩頻率，如晶振頻率為10MHz，起振時間為1ms;晶振頻率為1MHz，起振時間則為10ms。在圖2的復(fù)位電路中，當(dāng)Vcc掉電時，必然會使RST端電壓迅速下降到0V以下，但是，由于內(nèi)部電路的限制作用，這個負(fù)電壓將不會對器件產(chǎn)生損害。另外，在復(fù)位期間，端口引腳處于隨機狀態(tài)，復(fù)位后，系統(tǒng)將端口置為全“l(fā)”態(tài)。如果系統(tǒng)在上電時得不到有效的復(fù)位，則程序計數(shù)器PC將得不到一個合適的初值，因此，CPU可能會從一個未被定義的位置開始執(zhí)行程序。

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積分型上電復(fù)位：

常用的上電或開關(guān)復(fù)位電路如圖3所示。上電后，由于電容C3的充電和反相門的作用，使RST持續(xù)一段時間的高電平。當(dāng)單片機已在運行當(dāng)中時，按下復(fù)位鍵K后松開，也能使RST為一段時間的高電平，從而實現(xiàn)上電或開關(guān)復(fù)位的操作。

根據(jù)實際操作的經(jīng)驗，下面給出這種復(fù)位電路的電容、電阻參考值。

圖3中：C：=1uF，Rl=lk，R2=10k

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積分型上電復(fù)位電路圖

專用芯片復(fù)位電路

上電復(fù)位電路 在控制系統(tǒng)中的作用是啟動單片機開始工作。但在電源上電以及在正常工作時電壓異?；蚋蓴_時，電源會有一些不穩(wěn)定的因素，為單片機工作的穩(wěn)定性可能帶來嚴(yán)重的影響。因此，在電源上電時延時輸出給芯片輸出一復(fù)位信號。上復(fù)位電路另一個作用是，監(jiān)視正常工作時電源電壓。若電源有異常則會進(jìn)行強制復(fù)位。復(fù)位輸出腳輸出低電平需要持續(xù)三個(12/fc s)或者更多的指令周期，復(fù)位程序開始初始化芯片內(nèi)部的初始狀態(tài)。等待接受輸入信號(若如遙控器的信號等)。

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高低電平復(fù)位電路

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51單片機要求的是：高電平復(fù)位。上圖是51單片機的復(fù)位電路。在上電的瞬間，電容器充電，充電電流在電阻上形成的電壓為高電平(可按照歐姆定律來分析);幾個毫秒之后，電容器充滿，電流為0，電阻上的電壓也就為低電平了，這時，51單片機將進(jìn)入正常工作狀態(tài)。圖1是用來產(chǎn)生低電平復(fù)位信號的。

單片機復(fù)位電路的原理

復(fù)位電路的目的就是在上電的瞬間提供一個與正常工作狀態(tài)下相反的電平。一般利用電容電壓不能突變的原理,將電容與電阻串聯(lián),上電時刻,電容沒有充電,兩端電壓為零,此時,提供復(fù)位脈沖,電源不斷的給電容充電,直至電容兩端電壓為電源電壓,電路進(jìn)入正常工作狀態(tài)。

關(guān)于單片機復(fù)位電路，以前做的一點小筆記和文摘，在這里做一個綜述，一方面，由于我自己做的面包板上的復(fù)位電路按鍵無效，于是又回過頭來重新整理了一下，供自己復(fù)習(xí)，另一方面大家一起交流學(xué)習(xí)。在我看來，讀書，重在交流，不管你學(xué)什么，交流，可以讓你深刻的理解你所思考的問題，可以深化你的記憶，更會讓你識得人生的朋友。

最近在學(xué)ARM，ARM處理器的復(fù)位電路比單片機的復(fù)位電路有講究，比起單片機可靠性要求更高了。先讓我自己來回憶一下單片機復(fù)位電路吧。