SiC的市場前景已經(jīng)毋庸置疑，從光伏、儲能到電動汽車，無不推動著SiC的用量激增。根據(jù)Yole Intelligence最新發(fā)布的2023年版功率SiC報告，預計到 2028 年，全球功率SiC器件市場將增長至近90億美元，比2022年增長31%。汽車應用在SiC市場中占據(jù)主導地位，占到70%。

在看到了其中蘊含的確認性的巨大機遇后，國際一線芯片供應商紛紛投身其中，展開了一場在產(chǎn)品設計上的競逐和生產(chǎn)制造上的豪賭。而在這一場浪潮中，onsemi成為了最大贏家。從2021年的全球市場份額排名排名第五，到2022年排名第四，再到2023年排名第二，全年銷售額達到了8億美金。onsemi在SiC領域是一路高歌猛進，直沖云霄。

尤其是在近兩年的行業(yè)逆行周期中、來自工業(yè)和汽車的需求遇冷的前提下，能夠取得如此的成績，實屬令人贊嘆。而這成績背后，是來自產(chǎn)品、制造、應用方案和投資策略等多個維度的領先。

近日onsemi開啟了以“碳”路先鋒技術日暨碳化硅和功率解決方案系列全國巡回研討會，我們參加了首站北京的活動，并有機會采訪到了安森美(onsemi)的FAE經(jīng)理黃延龍和安森美先進方案部汽車領域的市場營銷經(jīng)理張青，兩位進行了精彩的分享。

EliteSiC：生產(chǎn)垂直整合，產(chǎn)品橫向覆蓋

SiC器件本身的特性決定了其在高溫高壓場景下有著比傳統(tǒng)Si器件更優(yōu)異的表現(xiàn)，能夠明顯提升系統(tǒng)開關頻率，降低開關損耗。但正是因為開關頻率的提升，讓其在設計和制造過程中也面臨著一系列新的挑戰(zhàn)。在一些高開關頻率的應用中，SiC器件的Vgs過沖會比IGBT高；更高的開關頻率也帶來了更高的熱量產(chǎn)生，因此熱應力方面的處理也是SiC器件的關鍵；更快的開關速度會引發(fā)更大的di/dt（電流變化率）和dv/dt（電壓變化率），從而產(chǎn)生更強的高頻噪聲，這也意味著SiC器件每次開關過程中產(chǎn)生的EMI更高。因此，要發(fā)揮SiC器件的材料特性，將其轉化為高頻應用中的真正的優(yōu)勢，就需要SiC器件供應商從設計、生產(chǎn)、制造和封裝多個維度進行優(yōu)化，而這也正是onsemi的技術優(yōu)勢所在。

onsemi的“EliteSiC”產(chǎn)品系列，包括一系列SiC MOSFET和模塊，這些產(chǎn)品在各種應用中表現(xiàn)出色，特別適用于電動汽車（EV）主驅逆變器、能源基礎設施和5G電源等領域。這些產(chǎn)品以高效率、可靠性和在苛刻條件下的穩(wěn)定運行著稱。

在SiC方面的，onsemi重要轉折點是2021年收購GT Advanced Technologies。這次收購使onsemi能夠建立從襯底生產(chǎn)到器件制造的垂直整合供應鏈，確保了高質量SiC材料的可靠供應。

據(jù)了解，安森美目前的第三代EliteSiC產(chǎn)品，采用的是業(yè)界最為穩(wěn)定的Planar工藝，die尺寸相比上一代縮減了90%。Die Size的減小帶來了成本的大幅優(yōu)化，同時這一工藝也大大降低了開關損耗。

在晶體生長方面，安森美采用了行業(yè)內(nèi)最為成熟的長晶技術——物理氣相傳輸法為主（PVT），這一技術可以保證SiC的晶錠劑量。而其KABRA激光切片技術，則大大提升了晶圓制造速度。傳統(tǒng)的制造方法一片晶圓切割需要3.1小時，而安森美的技術目前僅需10分鐘。

針對高過沖應力，EliteSiC器件采用了先進的門極驅動電路設計，控制開關過程中電壓和電流的過沖。此外，通過優(yōu)化封裝設計，減少器件內(nèi)部及連接電路中的寄生電感和電容，從而降低過沖應力，提高器件的可靠性。

onsemi不僅擁有從前道到后道的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，還具備寬廣的產(chǎn)品型號和類型可供客戶根據(jù)不同的設計目標選擇。從電壓類型上來看，onsemi提供了650V、1200V和1700V三種不同電壓等級的產(chǎn)品系列。從封裝上來看，onsemi提供了全面的封裝類型，包括裸Die、單管TO-247-3/4、D2PACK-7、Toll MOSFET、以及F1/F2/SSDC/ASPM/DSC等多種模塊。

黃延龍表示，除了EliteSiC系列產(chǎn)品外，onsemi還擁有包括驅動、輔助電源、模擬器件、傳感器等在內(nèi)的完整產(chǎn)品類型，可以一站式滿足客戶系統(tǒng)級方案。

更智能SiC柵極驅動器：解決系統(tǒng)設計痛點，釋放SiC潛能

SiC器件需要特殊的驅動條件，特別是較高的柵極驅動電壓和電流，這與傳統(tǒng)的Si器件有顯著差異。對于設計工程師而言，從基于傳統(tǒng)Si器件的系統(tǒng)設計到基于SiC的系統(tǒng)設計，面臨著一系列的新的挑戰(zhàn)。要釋放SiC的潛能，快速完成系統(tǒng)設計，一個好的SiC柵極驅動器能夠讓工程師事半功倍。

據(jù)張青介紹，SiC柵極驅動器再各個層面上都有特定的要求，以確保SiC器件的高效可靠運行。首先在器件層面，柵極驅動器需要滿足SiC器件非?？斓拈_關頻率，波形要具備非常銳利的上升和下降邊緣，它應提供足夠的正向開啟柵極電壓和足夠的負向關斷電壓，以及足夠的開啟柵極電流。在電路拓撲層面，尤其是主驅逆變器的設計中，要具備足夠的SiC診斷和保護功能，其中包括：柵極驅動器必須包括隔離、過電流和短路保護、過電壓保護、米勒鉗位、死區(qū)時間控制和共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）等功能。而在系統(tǒng)層面，必須具有主動短路保護機制，能夠安全地進行直流電容放電，并提供用于監(jiān)測的ADC和柵極監(jiān)測功能，以確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。

針對這一系列的要求，onsemi將推出全新的車規(guī)級SiC驅動器。據(jù)悉，這款新的驅動器主要用于驅動SiC MOSFET。為了實現(xiàn)最低的導通損耗，該驅動器能夠向SiC MOSFET器件提供最大允許的柵極電壓。通過在開啟和關閉過程中提供高峰值電流，開關損耗得到了最小化。為了提高可靠性、dV/dt抗擾度和更快的關斷速度，該驅動器可以利用其板載電荷泵生成用戶可選的負電壓軌。對于隔離應用，該驅動器還提供一個外部可訪問的5V電源軌，用于為數(shù)字或高速光隔離器的次級側供電。其特點包括高峰值輸出電流、最大28V的正電壓額定值、用戶可調(diào)的內(nèi)置負電荷泵（-3.3V至-8V）、可訪問的5V參考/偏置軌、可調(diào)的欠壓鎖定、快速飽和功能，以及尺寸為4x4毫米的QFN24封裝，并且通過了AEC認證。

據(jù)張青介紹，與競品相比，該即將推出的驅動器有著更好的參數(shù)表現(xiàn)，并且集成了更加智能的功能。

首先，當前中國汽車廠商開始追求性價比，而在這一過程中，有一個SiC驅動器的指標就變得很關鍵，那就是短路承受時間。在以前的傳統(tǒng)做法，為了實現(xiàn)足夠好的保護效果，通常會將保護的過載倍數(shù)設置的高一點。而現(xiàn)在，透過該驅動器提供的更精確的保護，從而實現(xiàn)了在更小的Die的面積下，更短的短路承受時間，這也就帶來了整個系統(tǒng)層面的功耗的進一步降低和體積優(yōu)化。

另外一方面，在出現(xiàn)故障的時候。對于大電流的快速關斷會出現(xiàn)dc/dt，所以就需要一種軟開關的策略。而在該驅動器中，采用的是一種可編程可配置的軟關斷策略。這種設計，為客戶提供了更多的關斷策略上的調(diào)整的可能。

另外特別值得一提的該驅動器的part to part skew可以做到很好，因此在1nF負載下可以做到僅僅為正負25ns，這是目前為止業(yè)界最好的表現(xiàn)，相比其他競品的僅僅能做到50ns以上。這個參數(shù)的優(yōu)異表現(xiàn)，意味著在兩個單管的上下管直通設計中，可以設置更為精確的、更短的死區(qū)時間。因為如果兩個芯片的參數(shù)差異很大，那么死區(qū)設置時間也就無法實現(xiàn)。

張青表示，SiC柵極驅動器正在變得越來越智能化、內(nèi)部集成功能越多越多。這樣一方面可以降低客戶在電路調(diào)試方面的困擾，另一方面還可以幫助客戶減少設計面積。此外，因為整個柵極驅動器都達到了ASIL-B的標準，也進一步幫助客戶滿足功能安全的需求。

下一步：8英寸廠投產(chǎn)在即，M4 SiC轉向溝槽工藝

據(jù)悉，onsemi韓國富川的碳化硅超大型制造工廠擴建工程已經(jīng)完工，全負荷運行每年可生產(chǎn)超過一百萬片200mm SiC晶圓。而其第四代SiC也將從業(yè)已成熟的M3S平面工藝轉向更高性能的M4溝槽工藝，這有助于其追求Rsp的持續(xù)降低，為客戶帶來更高效能和更低損耗的全新SiC產(chǎn)品體驗。