瞬態(tài)電壓抑制二極管(Transient voltage suppression diode)也稱為TVS二極管，是一種保護(hù)用的電子零件，可以保護(hù)電器設(shè)備不受導(dǎo)線引入的電壓尖峰破壞。TVS二極管會和要保護(hù)的電路并聯(lián)。當(dāng)其電壓超過突崩潰準(zhǔn)位時，直接分流過多的電流。TVS二極管是箝位器，會抑制超過其崩潰電壓的過高電壓。當(dāng)過電壓消失時，TVS二極管會自動復(fù)歸，而其吸收的能量比類似額定的撬棒電路要大很多。TVS二極管有單向的及雙向的。單向的TVS二極管在順向操作時類似整流子，但在其設(shè)計允許承受很大的峰值電流，1.5KE系列的瞬間功率可以到1500 W。雙向的TVS二極管可以視為是二個極性相反的雪崩二極管相串聯(lián)，再和要保護(hù)的電路并聯(lián)。雖然在電路中會標(biāo)示為二個二極管，不過實(shí)際元件是將二個二極管封裝在同一個包裝中。TVS二極管過電壓反應(yīng)的速度會比其他的過電壓保護(hù)元件(例如壓敏電阻或是氣體放電管)要快。實(shí)際的箝位大約只有一皮秒，但因為實(shí)際電路中導(dǎo)線存在電感，因此保護(hù)元件需容許較長時間的大電壓。因此TVS二極管會比其他元件適合保護(hù)電路不受很快，而且有破壞性的電壓突波。像許多分散式的電路都有這種快速的過電壓突波，可能因為內(nèi)部因素或是外部因素造成，例如閃電或是馬達(dá)短路。瞬態(tài)電壓抑制器若使用在超過其設(shè)計條件的環(huán)境下，可能會損壞。瞬態(tài)電壓抑制器的失效模式有三種：短路、開路、元件額定下降。TVS二極管常會稱為是transorbs，或是Vishay半導(dǎo)體的注冊商標(biāo)TransZorbs。

二極管具有正向?qū)ㄒ约胺聪螂妷恒Q位的特性，合理地利用這一特點(diǎn)就可取得抑制瞬態(tài)過電壓的作用。實(shí)踐中，人們設(shè)計了齊納二極管、雪崩二極管以及在此基礎(chǔ)上改進(jìn)而成的瞬態(tài)過電壓抑制TVS管。這些二極管并聯(lián)在被保護(hù)電路兩端，當(dāng)其上的雷擊電涌、ESD電壓超過一定的幅度時，二極管迅速導(dǎo)通鉗位，將過電壓沖擊能量泄放掉。同壓敏電阻相比，抑制二極管不僅響應(yīng)速度更快，而且鉗位電壓更平坦、更穩(wěn)定?；诠璨牧系凝R納二極管、雪崩二極管、TVS管具有多種封裝、組合方式和不同的容量規(guī)格，具有保護(hù)精準(zhǔn)、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，目前在數(shù)碼相機(jī)、掃描器、計算機(jī)、手機(jī)等消費(fèi)電子領(lǐng)域以及通信網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

1、 齊納二極管和雪崩二極管

1.1 齊納二極管和雪崩二極管原理

二極管內(nèi)部PN結(jié)是其特性的決定因素，齊納二極管和雪崩二極管進(jìn)行過電壓鉗位也是利用了這個特性。圖1所示為二極管的典型伏安特性曲線，該曲線具有正向?qū)?、反向關(guān)斷以及反向擊穿三個狀態(tài)。當(dāng)二極管承受正向電壓大于0.7V時，即正向?qū)?當(dāng)二極管承受的反向電壓不大，小于VWM時，PN結(jié)反偏形成的漏電流很小，二極管接近關(guān)斷狀態(tài);當(dāng)反向電壓繼續(xù)增大，高于一定值VBR時，PN結(jié)反向擊穿導(dǎo)通，反方向電流迅速增大。齊納二極管和雪崩二極管的反向擊穿曲線特別陡，具有很好的電壓鉗位性能，因此適用于瞬態(tài)過電壓的保護(hù)。圖2所示為齊納二極管、雪崩二極管實(shí)物圖及其電路符號。

齊納二極管和雪崩二極管雖然都可以進(jìn)行反向電壓鉗位，但兩者的機(jī)理和特性還是有一些區(qū)別的。齊納二極管利用的是隧道量子效應(yīng)，當(dāng)PN結(jié)很薄時，在較高反向電壓作用下，PN結(jié)中存在的強(qiáng)電場將電子從結(jié)的一側(cè)穿透到另一側(cè)，從而形成大的反向電流。齊納擊穿需要的電場強(qiáng)度較大，僅在雜質(zhì)濃度特別大、電荷密度大且薄的PN結(jié)才能做得到。通過串聯(lián)齊納二極管就可獲更高的反向鉗位電壓，使得其在穩(wěn)壓器、電壓基準(zhǔn)元器件方面廣泛應(yīng)用。雪崩二極管的反向擊穿是PN結(jié)反向電壓增大到一數(shù)值后，載流子能量在很強(qiáng)電場的作用下增大，其晶體原子不斷相碰，使共價鍵中的電子激發(fā)形成自由電子-空穴對。新產(chǎn)生的載流子又增加速度，再進(jìn)行碰撞產(chǎn)生新的自由電子-空穴對，數(shù)量不斷發(fā)生倍增效應(yīng)，即像雪崩一樣增加載流子，從而產(chǎn)生更大的反向電流。通常的二極管摻雜濃度不太高，因此，擊穿機(jī)理多為雪崩擊穿效應(yīng)。

從應(yīng)用的角度來講，反向擊穿電壓小于5V的PN結(jié)因耗盡層薄而多為齊納擊穿機(jī)理。反向擊穿電壓大于8V的PN結(jié)則多為雪崩擊穿機(jī)理。反向擊穿電壓在5～8V之間的二極管則可能同時具有齊納或雪崩擊穿過程。齊納二極管和雪崩二極管雖均利用反向擊穿進(jìn)行過電壓抑制，二者在耐受暫態(tài)脈沖沖擊能力和鉗位電壓水平方面還是有所差異的。通常，齊納二極管響應(yīng)速度慢于雪崩二極管，耐沖擊電流能力也較小。因而，在瞬態(tài)過電壓保護(hù)電路中多用雪崩二極管，在穩(wěn)壓電路中更多地用齊納二極管。此外，兩者受溫度影響的效果也不同。齊納二極管多為負(fù)溫度系數(shù)，隨著結(jié)溫的上升，反向擊穿電壓下降。而雪崩二極管為正溫度系數(shù)，隨著結(jié)溫的上升，反向擊穿電壓上升。

上述齊納二極管、雪崩二極管均為單方向起鉗位電壓作用的。為了能抑制正、負(fù)兩個方向的過電壓，人們將兩只二極管的陰極對接，串聯(lián)起來，封裝在一個體內(nèi)。用這種方式，同時還可以起到減小單個管子間連線的寄生電感、改善鉗位效果、減小體積的優(yōu)點(diǎn)。圖3所示為雙向鉗位二極管的伏安特性曲線和電路符號。

1.2 齊納二極管和雪崩二極管的性能特點(diǎn)

齊納二極管和雪崩二極管有自己突出的性能特點(diǎn)，既具有反應(yīng)快、吸收容量小的優(yōu)點(diǎn)，也有漏電流大、寄生電容大的缺點(diǎn)，在使用時需要合理運(yùn)用。

(1)響應(yīng)時間

齊納二極管和雪崩二極管是通過很薄的PN結(jié)效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)電壓鉗位的，其響應(yīng)時間可達(dá)皮秒級。相對于氣體放電管、壓敏電阻，它的反應(yīng)速度更快，因此能在過電壓出現(xiàn)后很快就響應(yīng)，將過電壓鉗位到較小數(shù)值，有利于保護(hù)后續(xù)敏感電路。此外，齊納二極管和雪崩二極管的鉗位電壓波動很小，相對于壓敏電阻來講，反向擊穿段的動態(tài)電阻更小，殘壓比更低，保護(hù)也更精準(zhǔn)。當(dāng)然，齊納二極管和雪崩二極管的鉗位電壓范圍、吸收能量容量與氣體放電管、壓敏電阻相比，數(shù)值上一般要小很多。因此，它們適合直接作為低電平工作的敏感IC、線路以及電子設(shè)備的雷擊電涌、ESD多級保護(hù)電路的最末一級，對過電壓脈沖進(jìn)行直接的可靠保護(hù)。

(2)泄漏電流

齊納二極管和雪崩二極管在被保護(hù)電子設(shè)備中工作時，在系統(tǒng)正常工作電壓下，處于反向關(guān)斷區(qū)，但PN結(jié)的反向阻擋層厚度有限，其關(guān)斷電阻無法做到很高，從而在系統(tǒng)工作電壓作用下產(chǎn)生一定的漏電流。齊納二極管和雪崩二極管的漏電流與氣體放電管、壓敏電阻相比，其相對值更大，成為一個缺點(diǎn)。例如，僅在5V電壓作用下，有些齊納二極管的漏電流可達(dá)1～5mA，有些雪崩二極管的漏電流也可達(dá)幾百微安至1mA。

齊納二極管和雪崩二極管的漏電流主要受外加反向電壓的大小、PN結(jié)區(qū)溫度高低的影響。一般來講，二極管的泄漏電流會隨反向電壓的增大而增大。擊穿電壓高的二極管的漏電流比擊穿電壓低的二極管的泄漏電流小。PN結(jié)溫度對二極管泄漏電流的影響則因二極管的不同而有所不同。對擊穿電壓高的二極管，泄漏電流整體的數(shù)值小些，但當(dāng)結(jié)溫度變化時，漏電流的數(shù)值變化較大;而對擊穿電壓低的二極管，漏電流雖相對大一些，但結(jié)溫變化時，漏電流數(shù)值變動卻相對較小。因此，在使用齊納二極管和雪崩二極管時，應(yīng)注意進(jìn)行適當(dāng)?shù)纳崽幚砗驮O(shè)計。

(3)寄生電容

在齊納二極管和雪崩二極管的PN結(jié)內(nèi)因反型層而存在著寄生電容。該寄生電容的大小主要由PN結(jié)的面積、半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、外加電壓大小等因素決定。齊納二極管和雪崩二極管的寄生電容與壓敏電阻的寄生電容都比較大，可從幾十到幾千皮法，遠(yuǎn)大于氣體放電管的寄生電容，因此會對并聯(lián)的高速信號傳輸產(chǎn)生不利影響。

此外，二極管的功率和反向電壓大小也會對寄生電容有著一定的影響。隨著二極管功率容量的加大，PN結(jié)的面積也會相應(yīng)增大，以便減小熱阻，提高通流能力，因此寄生電容也會增大;二極管反向電壓越大，PN結(jié)反型層厚度就越大，電荷分布的間距就越大，等效寄生電容就會小。該寄生電容在不同反向電壓下數(shù)值也會不同。

為減小齊納二極管和雪崩二極管的寄生電容，人們常將普通二極管與雪崩二極管串聯(lián)使用。由于普通二極管的寄生電容很小，為20～50pF，與有較大寄生電容的齊納二極管或雪崩二極管相串聯(lián)后，支路等效電容為兩者電容值的串聯(lián)，即由小的電容量決定，從而使寄生電容數(shù)值大幅度降低。圖4所示為兩種串聯(lián)設(shè)計，但由于普通二極管的響應(yīng)速度慢一些，整個串聯(lián)支路的響應(yīng)時間也會延長。

1.3 齊納二極管和雪崩二極管主要性能參數(shù)

(1)鉗位電壓

鉗位電壓即反向擊穿電壓，通常在反向電流為10mA或1mA時進(jìn)行測量而得。

(2)額定電流

二極管在反向鉗位狀態(tài)下正常工作所允許的穩(wěn)態(tài)電流為額定電流。

(3)脈沖功率

脈沖功率是二極管在10/1000μs的脈沖電流波形下，最大脈沖電流峰值Ipk與最大鉗位電壓Ucm的乘積。該值遠(yuǎn)大于鉗位電壓與額定電流的乘積，即穩(wěn)態(tài)吸收功率。